由于石墨烯材料具有眾多的優(yōu)異特性，使其在半導體領域有著廣闊的應用前景，本書詳細介紹了石墨烯材料在半導體中的應用。全書共8章，包含三大部分內容，分別為石墨烯材料簡述（第1~3章）、石墨烯在半導體器件中的應用（第4~6章）和石墨烯在半導體封裝散熱中的應用（第7~8章）。石墨烯材料簡述部分介紹了石墨烯材料及其發(fā)展和產業(yè)現狀，

本書首先簡要介紹低維異質半導體材料及其物理性質，概述刻蝕和分子束外延生長兩種基本的低維半導體材料制備方法，簡要說明了分子束外延技術設備的工作原理和低維異質結構的外延生長過程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學和動力學的角度詳細闡述了硅鍺低維結構的外延生長機理及其相關理論，重點討論了圖形襯底上的硅鍺低維結構可控生長理論和硅鍺低

本書全面系統(tǒng)地介紹了半導體薄膜的各種制備技術及其相關的物理基礎，全書共分十一章。第一章概述了真空技術，第二至第八章分別介紹了蒸鍍、濺射、化學氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學合成等各種半導體薄膜的沉積技術，第九章介紹了半導體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導體器件的制備技術，第十

表面組裝技術（SMT）是指把表面組裝元器件按照電路的要求放置在預先涂敷好焊膏的PCB的表面上，通過焊接形成可靠的焊點，建立長期的機械和電氣連接的組裝技術。本書以表面組裝技術（SMT）生產過程為主線，詳細介紹了電子產品的表面組裝技術，主要內容包括表面組裝技術概述、表面組裝材料、表面涂敷、貼片、焊接、清洗、檢測與返修等，其

本書在介紹半導體材料綜述，半導體材料的結構、特性及理論基礎，半導體材料的雜質、缺陷及其輻射效應，半導體器件應用及納米半導體材料等的基礎上，對國內外發(fā)光材料研究、開發(fā)與應用領域中取得的成就也進行了闡述。主要內容包括：半導體材料發(fā)展簡史、半導體材料的主要用途、半導體材料的性能及其與器件的關系等。

本書介紹了硅材料的結構與性能、分類及應用、主要制備技術及工藝，重點對太陽能電池、探測器等硅基光電子器件的結構與原理做了闡述，在此基礎上分析了新型廣譜硅材料的特點、結構、光電性能、研究現狀及其在光電子器件方面的應用。本書中作者圍繞硫族元素超飽和摻雜硅材料的制備、結構、特性、超飽和硫摻雜硅探測器與太陽能電池的研制及性能等方

GaN基寬禁帶半導體異質結構具有很高的應用價值，是發(fā)展高頻、高功率電子器件*優(yōu)選的半導體材料。本書基于國內外GaN基電子材料和器件的發(fā)展現狀和趨勢，從晶體結構、能帶結構、襯底材料、外延生長、射頻電子器件和功率電子器件研制等方面詳細論述了GaN基半導體異質結構和二維電子氣的物理性質、國內外發(fā)展動態(tài)、面臨的關鍵科學技術問題

光刻機像質檢測技術是支撐光刻機整機與分系統(tǒng)滿足光刻機分辨率、套刻精度等性能指標要求的關鍵技術。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機像質檢測技術。介紹了國際主流的光刻機像質檢測技術，詳細介紹了本團隊提出的系列新技術，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測量法、干涉測量法等檢測技術，包括初級像質參數、波像差、偏振像差、動態(tài)像差、熱像差等像質檢測技

光刻機像質檢測技術是支撐光刻機整機與分系統(tǒng)滿足光刻機分辨率、套刻精度等性能指標要求的關鍵技術。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機像質檢測技術。介紹了國際主流的光刻機像質檢測技術，詳細介紹了本團隊提出的系列新技術，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測量法、干涉測量法等檢測技術，包括初級像質參數、波像差、偏振像差、動態(tài)像差、熱像差等像質檢測技

本書共7章，主要介紹了改性鍺半導體物理的相關內容，包括Ge帶隙類型轉變理論、改性鍺半導體能帶與遷移率理論、改性鍺能帶調制理論、改性鍺半導體光學特性理論以及改性鍺MOS反型層能帶與遷移率理論等。通過本書的學習，可為讀者以后學習改性鍺器件物理奠定重要的理論基礎。本書可作為高等院校微電子學與固體電子學專業(yè)研究生的參考書，也可