本書內(nèi)容涉及材料、化學(xué)、電子學(xué)及物理等學(xué)科，是目前我國分子材料領(lǐng)域較為全面和系統(tǒng)的一部專業(yè)技術(shù)著作。根據(jù)作者多年來從事該領(lǐng)域研究工作的經(jīng)驗(yàn)，結(jié)合當(dāng)前最新的文獻(xiàn)報(bào)道，以材料科學(xué)和化學(xué)學(xué)科為出發(fā)點(diǎn)，深入淺出地?cái)⑹鲇袡C(jī)半導(dǎo)體材料的設(shè)計(jì)思想、合成方法、電子過程、器件的原理及其應(yīng)用。其中，有機(jī)集成電路是實(shí)現(xiàn)器件全有機(jī)化的基礎(chǔ)，在

本書主要從實(shí)際工藝的角度對硅片生產(chǎn)全過程進(jìn)行了比較系統(tǒng)詳細(xì)的介紹，包括硅單晶的基本特性和晶體結(jié)構(gòu)，硅片生產(chǎn)設(shè)備的種類、性能及其使用方法，硅單晶從滾磨與開方、切割、研磨、拋光、清洗一直到檢驗(yàn)包裝的整個(gè)生產(chǎn)過程與管理，其中針對太陽能硅片的生產(chǎn)有適當(dāng)?shù)慕榻B，通過這些介紹，旨在使讀者能夠?qū)�硅片生產(chǎn)有一個(gè)全貌的認(rèn)識，能具備硅片生

《半導(dǎo)體器件原理簡明教程》力圖用最簡明、準(zhǔn)確的語言，介紹典型半導(dǎo)體器件的核心知識，主要包括半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、pn結(jié)、雙極型晶體管、場效應(yīng)晶體管、金屬-半導(dǎo)體接觸和異質(zhì)結(jié)、半導(dǎo)體光電子器件。《半導(dǎo)體器件原理簡明教程》在闡明基本結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，還介紹了微電子領(lǐng)域的一些新技術(shù)，如應(yīng)變異質(zhì)結(jié)、能帶工程、量子阱激光器等。《

《半導(dǎo)體器件物理學(xué)習(xí)與考研指導(dǎo)》是普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材《半導(dǎo)體器件物理（第二版）》（孟慶巨、劉海波、孟慶輝等編著）的配套教學(xué)輔導(dǎo)資料。全書共分為11章，內(nèi)容包括：半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、PN結(jié)、雙極結(jié)型晶體管、金屬一半導(dǎo)體結(jié)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管和金屬一半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、金屬一氧化物一半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、電荷轉(zhuǎn)移

本書共11章，全面系統(tǒng)地闡述了納米半導(dǎo)體基本概念、制備技術(shù)和十種典型納米半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)、形貌、組分、電子結(jié)構(gòu)、光電特性、磁學(xué)性質(zhì)、場發(fā)射特性及其應(yīng)用。

電子學(xué)是研究電荷在空氣、真空和半導(dǎo)體內(nèi)運(yùn)動的一門科學(xué)（注意此處不包括電荷在金屬中的運(yùn)動）。這一概念最早起源于20世紀(jì)早期，以便和電氣工程（主要研究電動機(jī)、發(fā)電機(jī)和電纜傳輸）加以區(qū)別，當(dāng)時(shí)的電子工程是一個(gè)嶄新的領(lǐng)域，主要研究真空管中的電荷運(yùn)動。如今，電子學(xué)研究的內(nèi)容一般包括晶體管和晶體管電路。微電子學(xué)研究集成電路（IC）

本書較系統(tǒng)全面地闡述了半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)知識和典型半導(dǎo)體器件的工作原理、工作特性。具體內(nèi)容包括：半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)、PN結(jié)機(jī)理與特性、雙極型晶體管、MOS場效應(yīng)晶體管、半導(dǎo)體器件制備技術(shù)、Ga在SiO（2）/Si結(jié)構(gòu)下的開管摻雜共6章。每章后附有內(nèi)容小結(jié)、思考題和習(xí)題。書后有附錄，附錄A是本書的主要符號表，附錄B是常用

本書在介紹輻射環(huán)境、空間應(yīng)用器件的選擇策略以及半導(dǎo)體材料和器件的基本輻射效應(yīng)機(jī)理的基礎(chǔ)上，介紹IV族半導(dǎo)體材料、CaAs材料、硅雙極器件以及MOS器件的輻射損傷等，并對先進(jìn)半導(dǎo)體材料及器件的應(yīng)用前景進(jìn)行展望。

本書以器件和集成電路為軸線，從基本概念到器件的原理、設(shè)計(jì)、制造和電路應(yīng)用，比較全面地介紹了新近發(fā)展起來的SiGe微電子技術(shù)。

本書的主要內(nèi)容包括：高分辨X射線衍射，光學(xué)性質(zhì)檢測分析，表面和薄膜成分分析，掃描探針顯微學(xué)在半導(dǎo)體中的運(yùn)用，透射電子顯微學(xué)及其在半導(dǎo)體研究中的應(yīng)用，半導(dǎo)體深中心的表征。以上內(nèi)容包括了目前半導(dǎo)體材料（第三代半導(dǎo)體和低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料）物理表征的實(shí)驗(yàn)技術(shù)和具體應(yīng)用成果。限于篇幅，不能面面俱到，所以有些實(shí)驗(yàn)技術(shù)，如LEED，