《碳化硅器件工藝核心技術(shù)》共9章，以碳化硅(SiC)器件工藝為核心，重點(diǎn)介紹了SiC材料生長、表面清洗、歐姆接觸、肖特基接觸、離子注入、干法刻蝕、電解質(zhì)制備等關(guān)鍵工藝技術(shù)，以及高功率SiC單極和雙極開關(guān)器件、SiC納米結(jié)構(gòu)的制造和器件集成等，每一部分都涵蓋了上百篇相關(guān)文獻(xiàn)，以反映這些方面的最新成果和發(fā)展趨勢。《碳化硅器

本書不僅介紹了半導(dǎo)體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對每種材料的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)、對應(yīng)的等離子體源和刻蝕氣體化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行了詳細(xì)解釋。本書討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術(shù)，介紹了半導(dǎo)體廠商實(shí)際使用的刻蝕設(shè)備的類型和等離子體產(chǎn)生機(jī)理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應(yīng)離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，

本書系統(tǒng)地討論了第三代半導(dǎo)體材料SiC和GaN的物理特性，以及功率應(yīng)用中不同類型的器件結(jié)構(gòu)，同時詳細(xì)地討論了SiC和GaN功率器件的設(shè)計、制造，以及智能功率集成中的技術(shù)細(xì)節(jié)。也討論了寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的柵極驅(qū)動設(shè)計，以及SiC和GaN功率器件的應(yīng)用。最后對寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的未來發(fā)展進(jìn)行了展望。

本書主要介紹了基于光學(xué)超晶格的光波長轉(zhuǎn)換技術(shù)，首先介紹了光學(xué)超晶格的基本概念以及基于光學(xué)超晶格的光波長轉(zhuǎn)換基本原理，其中包括基于不同效應(yīng)的光波長轉(zhuǎn)換原理及實(shí)現(xiàn)方案、耦合波方程的龍格庫塔解法、遺傳算法在光學(xué)超晶格結(jié)構(gòu)設(shè)計中的應(yīng)用；然后分別講解了均勻分段結(jié)構(gòu)光學(xué)超晶格、階梯分段結(jié)構(gòu)光學(xué)超晶格、啁啾結(jié)構(gòu)光學(xué)超晶格及其在光波長

本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導(dǎo)體制造工藝的各個技術(shù)環(huán)節(jié)。全書共分為11章，分別是：功率半導(dǎo)體的全貌、功率半導(dǎo)體的基本原理、各種功率半導(dǎo)體的原理和作用、功率半導(dǎo)體的用途與市場、功率半導(dǎo)體的分類、用于功率半導(dǎo)體的硅片、功率半導(dǎo)體制造工藝的特點(diǎn)、功率半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)介紹、硅基功率半導(dǎo)體的發(fā)展、挑戰(zhàn)硅極限的碳化硅與氮化

本書基于當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)制造過程中存在的問題，介紹了多種改進(jìn)的批間控制和過程監(jiān)控算法及其性能。第1章為半導(dǎo)體制造過程概述，包括國內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過程監(jiān)控。第4～7章討論機(jī)臺干擾、故障、度量時延對系統(tǒng)性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產(chǎn)品制程的EWMA批間控制算法、變

集成電路制造向幾納米節(jié)點(diǎn)工藝的發(fā)展，需要具有原子級保真度的刻蝕技術(shù)，原子層刻蝕（ALE）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生�！栋雽�(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)：原子層工藝》主要內(nèi)容有：熱刻蝕、熱各向同性ALE、自由基刻蝕、定向ALE、反應(yīng)離子刻蝕、離子束刻蝕等，探討了尚未從研究轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體制造的新興刻蝕技術(shù)，涵蓋了定向和各向同性ALE的全新研究和進(jìn)展�！栋�

本書以工程應(yīng)用為目標(biāo)，聚焦基本概念與原理、表面組裝核心工藝、主要組裝工藝問題及最新應(yīng)用問題，以圖文并茂的形式，介紹了焊接的基礎(chǔ)原理與概念、表面組裝的核心工藝與常見不良現(xiàn)象，以及組裝工藝帶來的可靠性問題。全書結(jié)合內(nèi)容需求，編入了幾十個經(jīng)典案例，這些案例非常典型，不僅有助于讀者深入理解有關(guān)工藝的概念和原理，也可作為類似不良

本書系統(tǒng)介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動力學(xué)方法、動力學(xué)蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學(xué)性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時間從亞皮秒量級到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應(yīng)用，揭示了典型半導(dǎo)

本書全面闡述了半導(dǎo)體刻蝕加工及金屬輔助化學(xué)刻蝕加工原理與工藝，詳細(xì)講述了硅折點(diǎn)納米線、超高深徑比納米線、單納米精度硅孔陣列三類典型微/納米結(jié)構(gòu)的刻蝕加工工藝，并對第三代半導(dǎo)體碳化硅的電場和金屬輔助化學(xué)刻蝕復(fù)合加工、第三代半導(dǎo)體碳化硅高深寬比微槽的紫外光場和濕法刻蝕復(fù)合加工工藝進(jìn)行了詳細(xì)論述。