本書(shū)主要描述常用半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)、工作原理以及電特性。內(nèi)容包括：半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、PN結(jié)、PN結(jié)二極管應(yīng)用、雙極型晶體管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、MOSFET以及新型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，如FinFET、SOIFET、納米線圍柵(GAA)FET等，共計(jì)七章。與同類(lèi)教材比較，本教材增加了pn結(jié)二極管應(yīng)用以及新型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的介紹，反

《半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)》作者在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域擁有40多年的研發(fā)和制造經(jīng)驗(yàn)�！栋雽�(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)》共分為11章，重點(diǎn)介紹了先進(jìn)封裝，系統(tǒng)級(jí)封裝，扇入型晶圓級(jí)/板級(jí)芯片尺寸封裝，扇出型晶圓級(jí)/板級(jí)封裝，2D、2.1D和2.3DIC集成，2.5DIC集成，3DIC集成和3DIC封裝，混合鍵合，芯粒異質(zhì)集成，低損耗介電材料和先進(jìn)

本書(shū)比較全面地介紹了當(dāng)前表面組裝技術(shù)(SMT)生產(chǎn)線及主要設(shè)備、建線工程、設(shè)備選型、基板、元器件、工藝材料等基礎(chǔ)知識(shí)和表面組裝印制電路板可制造性設(shè)計(jì)(DFM)等內(nèi)容。全書(shū)分為6章，分別是第1章緒論、第2章SMT生產(chǎn)材料準(zhǔn)備、第3章SMT涂敷工藝技術(shù)、第4章MT貼裝工藝技術(shù)、第5章MT檢測(cè)工藝技術(shù)、第6章MT清洗工藝技術(shù)

本書(shū)旨在向材料及微電子集成相關(guān)專(zhuān)業(yè)的高年級(jí)本科生、研究生及從事材料與器件集成行業(yè)的科研人員介紹柵介質(zhì)材料制備與相關(guān)器件集成的專(zhuān)業(yè)技術(shù)。本書(shū)共10章，包括了集成電路的發(fā)展趨勢(shì)及后摩爾時(shí)代的器件挑戰(zhàn)，柵介質(zhì)材料的基本概念及物理知識(shí)儲(chǔ)備，柵介質(zhì)材料的基本制備技術(shù)及表征方法；著重介紹了柵介質(zhì)材料在不同器件中的集成應(yīng)用，如高κ與

本書(shū)介紹了當(dāng)前主流的光學(xué)光刻、先進(jìn)的極紫外光刻以及下一代光刻技術(shù)。主要內(nèi)容涵蓋了光刻理論、工藝、材料、設(shè)備、關(guān)鍵部件、分辨率增強(qiáng)、建模與仿真、典型物理與化學(xué)效應(yīng)等，包括光刻技術(shù)的前沿進(jìn)展，還總結(jié)了極紫外光刻的特點(diǎn)、存在問(wèn)題與發(fā)展方向。

全書(shū)共分為4章，系統(tǒng)闡述了輻射誘導(dǎo)半導(dǎo)體缺陷的相關(guān)理論、數(shù)值模擬方法、表征技術(shù)及應(yīng)用。空間輻射誘導(dǎo)缺陷是導(dǎo)致電子元器件性能退化的重要原因，然而輻射誘導(dǎo)缺陷的形成、演化和性質(zhì)與半導(dǎo)體材料本身物理屬性、器件類(lèi)型及結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。

本書(shū)概述了氮化物半導(dǎo)體及其在功率電子和光電子器件中的應(yīng)用，解釋了這些材料的物理特性及其生長(zhǎng)方法，詳細(xì)討論了它們?cè)诟唠娮舆w移率晶體管、垂直型功率器件、發(fā)光二極管、激光二極管和垂直腔面發(fā)射激光器中的應(yīng)用。本書(shū)進(jìn)一步研究了這些材料的可靠性問(wèn)題，并提出了將它們與2D材料結(jié)合用于新型高頻和高功率器件的前景。本書(shū)具有較好的指導(dǎo)性和

超結(jié)是功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的創(chuàng)新的耐壓層結(jié)構(gòu)之一，它將常規(guī)阻型耐壓層質(zhì)變?yōu)镻N結(jié)型耐壓層，突破了傳統(tǒng)比導(dǎo)通電阻和耐壓之間的硅極限關(guān)系（Ron,spVB^2.5），將2.5次方關(guān)系降低為1.32次方，甚至是1.03次方關(guān)系，被譽(yù)為功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的里程碑。本書(shū)概述了功率半導(dǎo)體器件的基本信息，重點(diǎn)介紹了作者在功率超結(jié)器件研

本書(shū)主要以幾種新型的納米多孔GaN基薄膜為研究對(duì)象，系統(tǒng)地介紹了其納米孔結(jié)構(gòu)的制備及特性研究，為其在光解水、發(fā)光器件、柔性器件及可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了理論和實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。

本書(shū)內(nèi)容包括4部分。第1部分介紹功率半導(dǎo)體器件的分類(lèi)及發(fā)展歷程，主要包括功率半導(dǎo)體器件這個(gè)“大家族”的主要成員及各自的特點(diǎn)和發(fā)展歷程。第2部分介紹功率二極管，在傳統(tǒng)的功率二極管（肖特基二極管和PiN二極管）的基礎(chǔ)上，增加了JBS二極管和MPS二極管等新型單、雙極型二極管的內(nèi)容。第3部分介紹功率開(kāi)關(guān)器件，主要分為傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)