本教程在簡(jiǎn)要介紹MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，全面敘述了MOSFET基本電學(xué)特性和二階效應(yīng)；介紹了MOSFET器件模型及建模測(cè)試結(jié)構(gòu)和方案設(shè)計(jì)；給出了MOSFETBSIM模型參數(shù)提取流程；介紹了半導(dǎo)體器件SPICE模型建模平臺(tái)EmpyreanXModel，深入介紹了XModel的基本功能和界面；介

本書(shū)是作者從事電子制造40年來(lái)有關(guān)單板互連可靠性方面的經(jīng)驗(yàn)總結(jié),討論了單板常見(jiàn)的失效模式、典型失效場(chǎng)景以及如何設(shè)計(jì)與制造高可靠性產(chǎn)品的廣泛?jiǎn)栴}，并通過(guò)大量篇幅重點(diǎn)討論了焊點(diǎn)的斷裂失效現(xiàn)象及裂紋特征。全書(shū)內(nèi)容共4個(gè)部分，第一部分為焊點(diǎn)失效機(jī)理與裂紋特征，詳細(xì)介紹焊點(diǎn)的失效模式、失效機(jī)理、裂紋特征及失效分析方法;第二部分為

《半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個(gè)部分，分別是晶體的結(jié)構(gòu)理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質(zhì)與基本概念撰寫(xiě)，加深讀者對(duì)晶體結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性質(zhì)的理解。第一部分?jǐn)M通過(guò)五個(gè)章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結(jié)構(gòu)、對(duì)稱性、晶體結(jié)構(gòu)描述方法及典型半導(dǎo)體晶體的重要物理、化學(xué)特性和這些特性與晶體微觀、

本書(shū)講述了功率半導(dǎo)體器件的基本原理，涵蓋Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；綜合分析和呈現(xiàn)了不同類(lèi)型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數(shù)、器件特性和技術(shù)難點(diǎn)等；將功率器件測(cè)試分為特性測(cè)試、極限能力測(cè)試、高溫可靠性測(cè)試、電應(yīng)力可靠性測(cè)試和壽命測(cè)試等，并詳細(xì)介紹了測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、方法和原理，同步分析了測(cè)試設(shè)備和數(shù)據(jù)

集成電路與等離子體裝備

彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的機(jī)械變形-電場(chǎng)-熱場(chǎng)-載流子分布等物理場(chǎng)的耦合分析十分復(fù)雜。《彈性半導(dǎo)體的多場(chǎng)耦合理論與應(yīng)用》基于連續(xù)介質(zhì)力學(xué)、連續(xù)介質(zhì)熱力學(xué)及靜電學(xué)的基本原理，建立了半導(dǎo)體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎(chǔ)，采用材料力學(xué)及板殼力學(xué)的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的多場(chǎng)耦合問(wèn)題，包括一維和二維壓電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（

本書(shū)基于當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)制造過(guò)程中存在的問(wèn)題，介紹了多種改進(jìn)的批間控制和過(guò)程監(jiān)控算法及其性能。第1章為半導(dǎo)體制造過(guò)程概述，包括國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過(guò)程監(jiān)控。第4～7章討論機(jī)臺(tái)干擾、故障、度量時(shí)延對(duì)系統(tǒng)性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產(chǎn)品制程的EWMA批間控制算法、變

本書(shū)以工程應(yīng)用為目標(biāo)，聚焦基本概念與原理、表面組裝核心工藝、主要組裝工藝問(wèn)題及最新應(yīng)用問(wèn)題，以圖文并茂的形式，介紹了焊接的基礎(chǔ)原理與概念、表面組裝的核心工藝與常見(jiàn)不良現(xiàn)象，以及組裝工藝帶來(lái)的可靠性問(wèn)題。全書(shū)結(jié)合內(nèi)容需求，編入了幾十個(gè)經(jīng)典案例，這些案例非常典型，不僅有助于讀者深入理解有關(guān)工藝的概念和原理，也可作為類(lèi)似不良

本書(shū)系統(tǒng)介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動(dòng)力學(xué)方法、動(dòng)力學(xué)蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學(xué)性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時(shí)間從亞皮秒量級(jí)到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應(yīng)用，揭示了典型半導(dǎo)

本書(shū)全面闡述了半導(dǎo)體刻蝕加工及金屬輔助化學(xué)刻蝕加工原理與工藝，詳細(xì)講述了硅折點(diǎn)納米線、超高深徑比納米線、單納米精度硅孔陣列三類(lèi)典型微/納米結(jié)構(gòu)的刻蝕加工工藝，并對(duì)第三代半導(dǎo)體碳化硅的電場(chǎng)和金屬輔助化學(xué)刻蝕復(fù)合加工、第三代半導(dǎo)體碳化硅高深寬比微槽的紫外光場(chǎng)和濕法刻蝕復(fù)合加工工藝進(jìn)行了詳細(xì)論述。

超結(jié)是功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的創(chuàng)新的耐壓層結(jié)構(gòu)之一，它將常規(guī)阻型耐壓層質(zhì)變?yōu)镻N結(jié)型耐壓層，突破了傳統(tǒng)比導(dǎo)通電阻和耐壓之間的硅極限關(guān)系（Ron,spVB^2.5），將2.5次方關(guān)系降低為1.32次方，甚至是1.03次方關(guān)系，被譽(yù)為功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的里程碑。本書(shū)概述了功率半導(dǎo)體器件的基本信息，重點(diǎn)介紹了作者在功率超結(jié)器件研

本書(shū)主要以幾種新型的納米多孔GaN基薄膜為研究對(duì)象，系統(tǒng)地介紹了其納米孔結(jié)構(gòu)的制備及特性研究，為其在光解水、發(fā)光器件、柔性器件及可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了理論和實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。

本書(shū)根據(jù)國(guó)內(nèi)外近十幾年來(lái)氧化物半導(dǎo)體TiO2和WO3的氧空位調(diào)控及其光學(xué)、電學(xué)和磁學(xué)特性的研究進(jìn)展，結(jié)合作者的研究成果撰寫(xiě)而成，系統(tǒng)地介紹了采用離子注入、水熱法和真空退火等技術(shù)方法，通過(guò)對(duì)TiO2和WO3氧空位缺陷的分布、濃度的調(diào)控，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)光學(xué)、電學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)的調(diào)制，獲得更為理想的鐵磁性能和表面增強(qiáng)拉曼光譜性能。本

本書(shū)介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書(shū)共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長(zhǎng)；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長(zhǎng)；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體；第9章為Ⅱ

本書(shū)以集成電路領(lǐng)域中的等離子體刻蝕為切入點(diǎn)，介紹了等離子體基礎(chǔ)知識(shí)、基于等離子體的刻蝕技術(shù)、等離子體刻蝕設(shè)備及其在集成電路中的應(yīng)用。全書(shū)共8章，內(nèi)容包括集成電路簡(jiǎn)介、等離子體基本原理、集成電路制造中的等離子體刻蝕工藝、集成電路封裝中的等離子體刻蝕工藝、等離子體刻蝕機(jī)、等離子體測(cè)試和表征、等離子體仿真、顆�？刂坪土慨a(chǎn)。本

本書(shū)采用通俗易懂的語(yǔ)言、圖文并茂的形式，詳細(xì)講解了智能制造SMT設(shè)備操作與維護(hù)的相關(guān)知識(shí)，覆蓋了SMT生產(chǎn)線常用的設(shè)備，主要包括上板機(jī)、印刷機(jī)、SPI設(shè)備、雙軌平移機(jī)、貼片機(jī)、AOI設(shè)備、緩存機(jī)、回流焊、X-ray激光檢測(cè)儀、AGV機(jī)器人、傳感器、烤箱、電橋等，還對(duì)SMT生產(chǎn)線的運(yùn)行管理做了介紹。本書(shū)內(nèi)容豐富實(shí)用，講解

本書(shū)系統(tǒng)全面地闡述了真空鍍膜技術(shù)的基本理論知識(shí)體系以及各種真空鍍膜方法、設(shè)備及工藝。對(duì)最新的薄膜類(lèi)型、性能檢測(cè)及評(píng)價(jià)、真空鍍膜技術(shù)及裝備等內(nèi)容也進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，如金剛石薄膜的應(yīng)用及大面積制備技術(shù)、工藝、性能評(píng)價(jià)等。本書(shū)敘述深入淺出，內(nèi)容豐富而精煉，工程實(shí)踐性強(qiáng)，在強(qiáng)化理論的同時(shí)，重點(diǎn)突出了工程應(yīng)用，具有很強(qiáng)的實(shí)用性，

功率半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、通信、計(jì)算機(jī)、汽車(chē)電子等領(lǐng)域，目前也逐漸應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。本書(shū)著重闡述功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)、測(cè)試技術(shù)、仿真技術(shù)、封裝材料應(yīng)用，以及可靠性試驗(yàn)與失效分析等方面的內(nèi)容。本書(shū)共10章，主要內(nèi)容包括功率半導(dǎo)體封裝概述、功率半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)、功率半導(dǎo)體

《芯片用硅晶片的加工技術(shù)》由淺入深地介紹了半導(dǎo)體硅及集成電路的有關(guān)知識(shí)，并著重對(duì)滿足納米集成電路用優(yōu)質(zhì)大直徑300mm硅單晶拋光片和太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)用晶體硅太陽(yáng)電池晶片的制備工藝、技術(shù)，以及對(duì)生產(chǎn)工藝廠房的設(shè)計(jì)要求進(jìn)行了全面系統(tǒng)的論述。書(shū)中附有大量插圖、表格等技術(shù)資料，可供致力于半導(dǎo)體硅材料工作的科技人員、企業(yè)管理人員和

本書(shū)首先簡(jiǎn)要介紹低維異質(zhì)半導(dǎo)體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長(zhǎng)兩種基本的低維半導(dǎo)體材料制備方法，簡(jiǎn)要說(shuō)明了分子束外延技術(shù)設(shè)備的工作原理和低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)過(guò)程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)的角度詳細(xì)闡述了硅鍺低維結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)機(jī)理及其相關(guān)理論，重點(diǎn)討論了圖形襯底上的硅鍺低維結(jié)構(gòu)可控生長(zhǎng)理論和硅鍺低