基于晶體變形的三維壓電效應(yīng)研究屬晶體物理學(xué)、電介質(zhì)物理學(xué)、靜電學(xué)、彈性力學(xué)和實(shí)驗(yàn)力學(xué)等多學(xué)科交叉研究的前沿課題,它將壓電效應(yīng)從二維發(fā)展到三維,從線性極化發(fā)展到非線性極化,束縛電荷從單電極提取發(fā)展到多電極復(fù)合提取,從而在一定程度上發(fā)展了壓電學(xué)科的理論體系。本書集作者近10年對(duì)基于晶體變形的壓電效應(yīng)研究而成,詳細(xì)介紹基于晶
《光子晶體:控制光流:原書第二版》為光子晶體領(lǐng)域的經(jīng)典教科書。第1章對(duì)《光子晶體:控制光流:原書第二版》進(jìn)行了綜述。第2章描述了混合介質(zhì)系統(tǒng)的宏觀電磁理論,證明描述磁場(chǎng)的方程是哈密頓方程;诖耸聦(shí),第3章對(duì)磁場(chǎng)行為做出了描述。第4~6章分別研究了一維、二維、三維光子晶體的電磁特性,闡述了光子帶隙的物理起源,以及與之相
《Olex2軟件單晶結(jié)構(gòu)解析及晶體可視化》介紹單晶解析基礎(chǔ)理論,應(yīng)用圖形界面化程序Olex2為平臺(tái),解析單晶結(jié)構(gòu)。運(yùn)用包括最通用和經(jīng)典的DirectMethods,PattersonMethod兩種算法,以及新發(fā)展的ChargeFlipping,IntrinsicPhasing,StructureExpansion和D
傳統(tǒng)的晶體生長(zhǎng)理論模型創(chuàng)建時(shí),受時(shí)代限制,缺乏原位實(shí)時(shí)觀測(cè)晶體生長(zhǎng)過程微觀結(jié)構(gòu)演化的實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ),難以真實(shí)、完整地反映晶體生長(zhǎng)過程中微觀結(jié)構(gòu)的演化。本書突破了晶體生長(zhǎng)機(jī)理研究的傳統(tǒng)思維,采用高溫激光顯微拉曼光譜和同步輻射X射線衍射等現(xiàn)代觀測(cè)技術(shù),從微觀尺度上,原位實(shí)時(shí)觀測(cè)晶體生長(zhǎng)過程中微觀結(jié)構(gòu)的演化。發(fā)現(xiàn)了晶體熔融生長(zhǎng)時(shí),
應(yīng)用數(shù)學(xué)分析基礎(chǔ)是在重慶大學(xué)“高等數(shù)學(xué)”課程教材體系改革試點(diǎn)工作的配套講義的基礎(chǔ)上歷經(jīng)20多年修訂而成的.與傳統(tǒng)高等數(shù)學(xué)教材相比,本書不僅注重讓學(xué)生理解、掌握高等數(shù)學(xué)的內(nèi)容,同時(shí)也強(qiáng)調(diào)培養(yǎng)學(xué)生實(shí)事求是的科學(xué)態(tài)度、嚴(yán)謹(jǐn)踏實(shí)的科學(xué)作風(fēng)和追根究底的科學(xué)精神.全書共分四冊(cè),本冊(cè)為多元函數(shù)微積分學(xué),內(nèi)容包括n維歐氏空間、多元函數(shù)
本書系統(tǒng)地闡述了軟物質(zhì)準(zhǔn)晶和廣義流體力學(xué)解的數(shù)學(xué)模型,為這些數(shù)學(xué)模型求解初-邊值問題提供了相關(guān)方案,得到了軟物質(zhì)準(zhǔn)晶的分布區(qū)域、變形和運(yùn)動(dòng),確定了其應(yīng)力、速度和位移場(chǎng)。并且,討論了一些典型材料的聲子、相位子和流體聲子間的相互作用。
本書主要介紹了晶體生長(zhǎng)技術(shù)及相關(guān)晶體缺陷,結(jié)合計(jì)算流體力學(xué)數(shù)值模擬和實(shí)驗(yàn)研究,系統(tǒng)的從熱流體輸運(yùn)、化學(xué)反應(yīng)等方面闡明了晶體生長(zhǎng)技術(shù)的要點(diǎn)和優(yōu)化方法。為了讀者更系統(tǒng)的了解晶體缺陷的理論和研究方法,本書也詳細(xì)介紹了分子動(dòng)力學(xué)和第一性原理的研究策略,并應(yīng)用于晶體缺陷的研究。本書的研究涵蓋了宏觀和微觀的研究方法和理論,把傳統(tǒng)的
《晶體生長(zhǎng)》主要介紹了人工晶體生長(zhǎng)的理論基礎(chǔ)、常用方法、工藝技術(shù)和晶體材料的性能檢測(cè)!毒w生長(zhǎng)》側(cè)重人工晶體生長(zhǎng)的工程應(yīng)用,較為全面地講解了氣相生長(zhǎng)法、溶液生長(zhǎng)法、熔體生長(zhǎng)法、固相生長(zhǎng)法的各項(xiàng)應(yīng)用技術(shù)的基本原理、工藝控制、關(guān)鍵因素和應(yīng)用實(shí)例!毒w生長(zhǎng)》由晶體結(jié)構(gòu)的基本概念講起,圍繞工程應(yīng)用展開理論性、知識(shí)性的內(nèi)容;
本書是作者多年來在晶體光學(xué)與巖石學(xué)教學(xué)過程中積累的成果總結(jié)。本書簡(jiǎn)明系統(tǒng)地闡述了晶體光學(xué)與光性礦物學(xué)、巖漿巖巖石學(xué)、變質(zhì)巖巖石學(xué)和沉積巖巖石學(xué)的基本實(shí)驗(yàn)內(nèi)容和室內(nèi)常用實(shí)驗(yàn)研究方法。
本書是作者在多年的科研和教學(xué)基礎(chǔ)上積累而成。運(yùn)用幾何學(xué)的概念和方法系統(tǒng)地分析和推導(dǎo)晶體的對(duì)稱性原理及晶體的衍射原理,給讀者以鮮明的立體概念,便于理解、掌握和應(yīng)用。全書共分為三部分:幾何晶體學(xué)基本原理、微觀空間對(duì)稱原理和晶體中X射線衍射基本原理。第一、二篇運(yùn)用一般位置等效點(diǎn)系中的等效點(diǎn)在空間的對(duì)稱分布與空間對(duì)稱性相一致的
本書分4篇探討晶體生長(zhǎng)的原理與技術(shù)。第一篇為晶體生長(zhǎng)的基本原理,分5章對(duì)晶體生長(zhǎng)的熱力學(xué)原理、動(dòng)力學(xué)原理、界面過程、生長(zhǎng)形態(tài)及晶體生長(zhǎng)初期的形核相關(guān)原理進(jìn)行論述。第二篇為晶體生長(zhǎng)的技術(shù)基礎(chǔ),分3章進(jìn)行晶體生長(zhǎng)過程的涉及傳輸行為(傳質(zhì)、傳熱、對(duì)流)、化學(xué)基礎(chǔ)問題(材料的提純與合成問題)以及物理基礎(chǔ)(電、磁、力的作用原理)
本書主要介紹了X射線晶體衍射的基本原理,晶體的培養(yǎng)與衍射數(shù)據(jù)的收集,晶體結(jié)構(gòu)解析與精修的基本概念、結(jié)果的表達(dá),有關(guān)的晶體學(xué)數(shù)據(jù)庫和軟件資源,結(jié)構(gòu)解析的實(shí)際例子及常用軟件的使用方法等。本書結(jié)合作者多年從事晶體結(jié)構(gòu)分析所積累的經(jīng)驗(yàn),總結(jié)了結(jié)構(gòu)解析過程中常見的問題與解決方法,并提供了**的有關(guān)文獻(xiàn)資料。作者對(duì)*版進(jìn)行增刪、修
本書介紹了光子/聲子晶體的基本概念、相關(guān)的基礎(chǔ)理論。重點(diǎn)論述了光子/聲子晶體材料與器件的基本原理、物理效應(yīng)、理論分析與仿真設(shè)計(jì)方法,以及聲子晶體減振降噪、光子晶體平板和光子晶體天線等方面的應(yīng)用原理。
晶體是粒子在三維空間中作周期性排列而構(gòu)成的物體。在工業(yè)時(shí)代,晶體的人工制備展現(xiàn)了智力勞動(dòng)創(chuàng)造的知識(shí)、技術(shù)與物質(zhì)結(jié)合所產(chǎn)生的巨大力量。晶體又是一類具有特定使用性能的基礎(chǔ)材料,在現(xiàn)代高技術(shù)發(fā)展中扮演著舉足輕重的角色。本書表述了作者在長(zhǎng)期實(shí)踐中形成的對(duì)晶體制備研究若干重要問題的一些認(rèn)識(shí),其中包括:晶體制備研究在晶體研究體系結(jié)
《現(xiàn)代壓電學(xué)》是一部全面介紹壓電學(xué)理論、材料及應(yīng)用的專著,反映了該領(lǐng)域國(guó)內(nèi)外學(xué)者所取得的成果和**進(jìn)展。全書分上、中、下三冊(cè)出版。本書為中冊(cè),介紹壓電材料,共6章,主要介紹非鐵電性壓電晶體、鐵電性壓電晶體、壓電陶瓷、無機(jī)壓電鐵電薄膜、壓電聚合物和壓電復(fù)合材料等。每章末附有參考文獻(xiàn)。
本書闡述位錯(cuò)理論的基本概念,探討各種強(qiáng)化與斷裂機(jī)制的微觀力學(xué)本質(zhì),為充分發(fā)揮晶體材料的性能潛力提供理論基礎(chǔ)。全書內(nèi)容分為三部分,第一部分的兩章闡述連續(xù)彈性介質(zhì)和實(shí)際晶體中的位錯(cuò)行為,第二部分的四章闡述不同強(qiáng)化機(jī)制,第三部分闡述晶體材料裂紋萌生、擴(kuò)展及韌脆轉(zhuǎn)變的位錯(cuò)機(jī)制。
晶體位錯(cuò)理論基礎(chǔ)(第二卷)
晶體生長(zhǎng)科學(xué)與技術(shù)(第二版)(上冊(cè)
晶體生長(zhǎng)科學(xué)與技術(shù)(第二版)(下冊(cè))
本書內(nèi)容包括:常壓酸化法制備碳酸鈣晶須的試驗(yàn)研究;水熱合成法制備碳酸鈣晶須的試驗(yàn)研究;雜質(zhì)對(duì)碳酸鈣晶須性能影響研究;偏溶法表面改性碳酸鈣晶須的試驗(yàn)研究等。