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本書是作者從事電子制造40年來有關單板互連可靠性方面的經(jīng)驗總結,討論了單板常見的失效模式、典型失效場景以及如何設計與制造高可靠性產(chǎn)品的廣泛問題，并通過大量篇幅重點討論了焊點的斷裂失效現(xiàn)象及裂紋特征。全書內(nèi)容共4個部分，第一部分為焊點失效機理與裂紋特征，詳細介紹焊點的失效模式、失效機理、裂紋特征及失效分析方法;第二部分為

《半導體結構》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個部分，分別是晶體的結構理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質(zhì)與基本概念撰寫，加深讀者對晶體結構和關鍵性質(zhì)的理解。第一部分擬通過五個章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結構、對稱性、晶體結構描述方法及典型半導體晶體的重要物理、化學特性和這些特性與晶體微觀、

本書講述了功率半導體器件的基本原理，涵蓋Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；綜合分析和呈現(xiàn)了不同類型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數(shù)、器件特性和技術難點等；將功率器件測試分為特性測試、極限能力測試、高溫可靠性測試、電應力可靠性測試和壽命測試等，并詳細介紹了測試標準、方法和原理，同步分析了測試設備和數(shù)據(jù)

集成電路與等離子體裝備

彈性半導體結構的機械變形-電場-熱場-載流子分布等物理場的耦合分析十分復雜�！稄椥园雽�體的多場耦合理論與應用》基于連續(xù)介質(zhì)力學、連續(xù)介質(zhì)熱力學及靜電學的基本原理，建立了半導體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎，采用材料力學及板殼力學的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導體結構中的多場耦合問題，包括一維和二維壓電半導體結構（

本書基于當前半導體行業(yè)制造過程中存在的問題，介紹了多種改進的批間控制和過程監(jiān)控算法及其性能。第1章為半導體制造過程概述，包括國內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過程監(jiān)控。第4～7章討論機臺干擾、故障、度量時延對系統(tǒng)性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產(chǎn)品制程的EWMA批間控制算法、變

本書以工程應用為目標，聚焦基本概念與原理、表面組裝核心工藝、主要組裝工藝問題及最新應用問題，以圖文并茂的形式，介紹了焊接的基礎原理與概念、表面組裝的核心工藝與常見不良現(xiàn)象，以及組裝工藝帶來的可靠性問題。全書結合內(nèi)容需求，編入了幾十個經(jīng)典案例，這些案例非常典型，不僅有助于讀者深入理解有關工藝的概念和原理，也可作為類似不良

本書系統(tǒng)介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動力學方法、動力學蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時間從亞皮秒量級到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應用，揭示了典型半導

本書全面闡述了半導體刻蝕加工及金屬輔助化學刻蝕加工原理與工藝，詳細講述了硅折點納米線、超高深徑比納米線、單納米精度硅孔陣列三類典型微/納米結構的刻蝕加工工藝，并對第三代半導體碳化硅的電場和金屬輔助化學刻蝕復合加工、第三代半導體碳化硅高深寬比微槽的紫外光場和濕法刻蝕復合加工工藝進行了詳細論述。

超結是功率半導體器件領域的創(chuàng)新的耐壓層結構之一，它將常規(guī)阻型耐壓層質(zhì)變?yōu)镻N結型耐壓層，突破了傳統(tǒng)比導通電阻和耐壓之間的硅極限關系（Ron,spVB^2.5），將2.5次方關系降低為1.32次方，甚至是1.03次方關系，被譽為功率半導體器件發(fā)展的里程碑。本書概述了功率半導體器件的基本信息，重點介紹了作者在功率超結器件研

本書主要以幾種新型的納米多孔GaN基薄膜為研究對象，系統(tǒng)地介紹了其納米孔結構的制備及特性研究，為其在光解水、發(fā)光器件、柔性器件及可穿戴設備等領域的應用奠定了理論和實驗基礎。

本書根據(jù)國內(nèi)外近十幾年來氧化物半導體TiO2和WO3的氧空位調(diào)控及其光學、電學和磁學特性的研究進展，結合作者的研究成果撰寫而成，系統(tǒng)地介紹了采用離子注入、水熱法和真空退火等技術方法，通過對TiO2和WO3氧空位缺陷的分布、濃度的調(diào)控，進而實現(xiàn)對光學、電學和磁學性質(zhì)的調(diào)制，獲得更為理想的鐵磁性能和表面增強拉曼光譜性能。本

本書介紹了主要半導體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體；第9章為Ⅱ

本書以集成電路領域中的等離子體刻蝕為切入點，介紹了等離子體基礎知識、基于等離子體的刻蝕技術、等離子體刻蝕設備及其在集成電路中的應用。全書共8章，內(nèi)容包括集成電路簡介、等離子體基本原理、集成電路制造中的等離子體刻蝕工藝、集成電路封裝中的等離子體刻蝕工藝、等離子體刻蝕機、等離子體測試和表征、等離子體仿真、顆粒控制和量產(chǎn)。本

本書采用通俗易懂的語言、圖文并茂的形式，詳細講解了智能制造SMT設備操作與維護的相關知識，覆蓋了SMT生產(chǎn)線常用的設備，主要包括上板機、印刷機、SPI設備、雙軌平移機、貼片機、AOI設備、緩存機、回流焊、X-ray激光檢測儀、AGV機器人、傳感器、烤箱、電橋等，還對SMT生產(chǎn)線的運行管理做了介紹。本書內(nèi)容豐富實用，講解

本書系統(tǒng)全面地闡述了真空鍍膜技術的基本理論知識體系以及各種真空鍍膜方法、設備及工藝。對最新的薄膜類型、性能檢測及評價、真空鍍膜技術及裝備等內(nèi)容也進行了詳細的介紹，如金剛石薄膜的應用及大面積制備技術、工藝、性能評價等。本書敘述深入淺出，內(nèi)容豐富而精煉，工程實踐性強，在強化理論的同時，重點突出了工程應用，具有很強的實用性，

功率半導體器件廣泛應用于消費電子、工業(yè)、通信、計算機、汽車電子等領域，目前也逐漸應用于軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。本書著重闡述功率半導體器件的封裝技術、測試技術、仿真技術、封裝材料應用，以及可靠性試驗與失效分析等方面的內(nèi)容。本書共10章，主要內(nèi)容包括功率半導體封裝概述、功率半導體封裝設計、功率半導體

《芯片用硅晶片的加工技術》由淺入深地介紹了半導體硅及集成電路的有關知識，并著重對滿足納米集成電路用優(yōu)質(zhì)大直徑300mm硅單晶拋光片和太陽能光伏產(chǎn)業(yè)用晶體硅太陽電池晶片的制備工藝、技術，以及對生產(chǎn)工藝廠房的設計要求進行了全面系統(tǒng)的論述。書中附有大量插圖、表格等技術資料，可供致力于半導體硅材料工作的科技人員、企業(yè)管理人員和

本書首先簡要介紹低維異質(zhì)半導體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長兩種基本的低維半導體材料制備方法，簡要說明了分子束外延技術設備的工作原理和低維異質(zhì)結構的外延生長過程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學和動力學的角度詳細闡述了硅鍺低維結構的外延生長機理及其相關理論，重點討論了圖形襯底上的硅鍺低維結構可控生長理論和硅鍺低