本書詳細介紹了5G網(wǎng)絡(luò)安全規(guī)劃的具體內(nèi)容和實踐方案，闡述了5G網(wǎng)絡(luò)安全規(guī)劃方法論，以架構(gòu)為驅(qū)動，以能力為導(dǎo)向，著眼現(xiàn)在，布局未來，并基于新一代NISTCSFIPDRR模型，對5G安全能力框架進行了詳細的規(guī)劃，旨在形成實戰(zhàn)化、體系化、常態(tài)化的5G安全能力開放體系。5G網(wǎng)絡(luò)安全實踐主要聚焦踐行規(guī)劃目標(biāo)及實施路徑，貫穿5G網(wǎng)

衛(wèi)星通信網(wǎng)絡(luò)在彌補數(shù)字鴻溝和增強全球數(shù)字經(jīng)濟服務(wù)健壯性等方面發(fā)揮著不可替代的作用，是未來信息通信基礎(chǔ)設(shè)施的重要組成部分。本書重點從衛(wèi)星通信網(wǎng)絡(luò)效能評估、星座設(shè)計、頻率使用方式、波束資源調(diào)度方式、按需接入管理、軟件定義衛(wèi)星通信網(wǎng)絡(luò)幾個方面，闡述按需服務(wù)衛(wèi)星通信網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計理念與設(shè)計方法以及效能分析等。全書共7章，第1章介紹

本書在簡要介紹半導(dǎo)體物理知識的基礎(chǔ)上，討論了pn結(jié)、雙極型晶體管、結(jié)型場效應(yīng)晶體管、絕緣柵場效應(yīng)晶體管、金屬-半導(dǎo)體接觸和異質(zhì)結(jié)、半導(dǎo)體光電子器件、其他半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)、基本工作原理和基本分析方法。

本書是基于MATLAB軟件平臺的實驗教程，在第一版的基礎(chǔ)上改編而成。內(nèi)容涵蓋了MATLAB基礎(chǔ)知識、圖像處理工具箱、圖像處理基本理論和方法、MATLAB函數(shù)和自定義函數(shù)，并提供了圖像處理實驗的具體實例。本書共10章，包括MATLAB編程基礎(chǔ)、圖像處理工具箱、圖像增強實驗——灰度變換與空間濾波、圖像增強實驗——頻域濾波、

本書主要涉及物聯(lián)網(wǎng)物理層認(rèn)證方法研究，針對通信信號調(diào)制方式識別，提出了基于熵和Holder系數(shù)的通信調(diào)制信號特征提取算法、基于云模型的通信調(diào)制信號二次特征提取算法、基于分形理論的通信調(diào)制信號特征提取算法；針對通信輻射源個體指紋識別，提出了基于瞬態(tài)信號的通信輻射源個體識別方法、基于積分雙譜的通信輻射源個體識別方法、基于功

本書從集成電路器件可靠性問題出發(fā)，具體闡述了輻射環(huán)境、輻射效應(yīng)、軟錯誤和仿真工具等背景知識，詳細介紹了抗輻射加固設(shè)計（RHBD）技術(shù)以及在該技術(shù)中常用的相關(guān)組件，重點針對表決器、鎖存器、主從觸發(fā)器和靜態(tài)隨機訪問存儲器（SRAM）單元介紹了經(jīng)典的和新穎的RHBD技術(shù)，扼要描述了相關(guān)實驗并給出了容錯性能和開銷對比分析。本書

本書圍繞數(shù)據(jù)鏈基本理論和關(guān)鍵技術(shù)，首先介紹數(shù)據(jù)鏈的基本概念、組成功能和技術(shù)體系架構(gòu)；然后圍繞數(shù)據(jù)鏈信息傳輸技術(shù)、組網(wǎng)技術(shù)、信息融合技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)管理技術(shù)深度剖析數(shù)據(jù)鏈采用的技術(shù)點位和在數(shù)據(jù)鏈中的應(yīng)用，并以Link-16和Link-11波形協(xié)議為例，系統(tǒng)性地闡述了這兩種數(shù)據(jù)鏈的信息流程、工作方式、組網(wǎng)運用等內(nèi)容；最后以軍事應(yīng)

半導(dǎo)體光電子學(xué)是研究半導(dǎo)體光子和光電子器件的學(xué)科，涉及各種半導(dǎo)體光電子器件的物理概念、工作原理及制作技術(shù)，在能源、顯示、傳感和通信等領(lǐng)域都擁有廣泛的應(yīng)用�！禕R》本書主要包括半導(dǎo)體材料基本性質(zhì)、半導(dǎo)體光電子器件基本結(jié)構(gòu)、載流子注入與速率方程、半導(dǎo)體激光器基本理論、光信號調(diào)制、半導(dǎo)體光電探測器、太陽能光熱與光伏、半導(dǎo)體光

本書介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體；第9章為Ⅱ

本書內(nèi)容主要基于紅外焦平面陣列探測器領(lǐng)域取得的成果，并系統(tǒng)介紹了紅外焦平面陣列探測器的設(shè)計理論及制造過程。本書分別介紹了非制冷型和制冷型兩大類紅外焦平面陣列探測器，主要具體內(nèi)容為：碲鎘汞和超晶格等熱敏材料制備；金屬、陶瓷、晶圓和像素級四類封裝工藝；線性、旋轉(zhuǎn)式等多種斯科特式制冷技術(shù)與器件；涉及各類核心器件性能的高精度檢