逆合成孔徑雷達(dá)是對空天目標(biāo)進(jìn)行探測、跟蹤、成像的重要傳感器，可獲取目標(biāo)的一維、二維甚至三維圖像。隨著先進(jìn)成像雷達(dá)裝備的研制，雷達(dá)成像也面臨高載頻、大帶寬、目標(biāo)遠(yuǎn)距離、非合作帶來的一系列挑戰(zhàn)，亟須研究和探索與之相適應(yīng)的高分辨成像算法和技術(shù)。本書重點闡述研究團(tuán)隊在逆合成孔徑雷達(dá)精細(xì)化成像與多維度成像方面取得的**研究成果，

智能結(jié)構(gòu)技術(shù)和相控陣?yán)走_(dá)都是當(dāng)今蓬勃發(fā)展的前沿技術(shù)。將智能結(jié)構(gòu)技術(shù)應(yīng)用于相控陣?yán)走_(dá)，提高其環(huán)境適應(yīng)性和服役可靠性，是雷達(dá)結(jié)構(gòu)技術(shù)研究的一個重要方向�！吨悄芙Y(jié)構(gòu)與相控陣?yán)走_(dá)》重點闡述相控陣?yán)走_(dá)天線變形的感知、機(jī)械補(bǔ)償和電補(bǔ)償?shù)睦碚撆c試驗研究成果，并介紹相控陣?yán)走_(dá)的智能環(huán)境控制和結(jié)構(gòu)健康監(jiān)測技術(shù)，對智能結(jié)構(gòu)技術(shù)在相控陣?yán)走_(dá)

本書由一線工程師和大學(xué)EDA教師聯(lián)合編寫，介紹使用Orcad+Pads進(jìn)行原理圖設(shè)計、PCB設(shè)計及實戰(zhàn)技巧。內(nèi)容采用"真實產(chǎn)品為載體”、"項目實際流程為導(dǎo)向”的方式，由淺入深，從易到難，講解電子流程化設(shè)計的思路。讓讀者學(xué)完就能用，學(xué)完就能有上崗競爭力。本書內(nèi)容版本新、實例豐富，力求給各階段的讀者帶來實實在在的電子設(shè)計干

隨著軌道交通電子技術(shù)的飛速發(fā)展，開關(guān)電源因其具有體積小、重量輕和效率高等優(yōu)點而得到了越來越廣泛的應(yīng)用，DC/DC變換器作為開關(guān)電源主要組成部分之一，通常工作在電感電流連續(xù)導(dǎo)電模式（CCM），電感電流斷續(xù)導(dǎo)電模式（DCM），但工作于CCM和DCM的開關(guān)變換器只適用于特定負(fù)載或功率范圍；電感電流偽連續(xù)導(dǎo)電模式（PCCM）是

本書全面、系統(tǒng)地介紹了集成電路測試技術(shù)。全書共分10章，主要內(nèi)容包括：集成電路測試概述、數(shù)字集成電路測試技術(shù)、模擬集成電路測試技術(shù)、數(shù)模混合集成電路測試技術(shù)、射頻電路測試技術(shù)、SoC及其他典型電路測試技術(shù)、集成電路設(shè)計與測試的鏈接技術(shù)、測試接口板設(shè)計技術(shù)、集成電路測試設(shè)備、智能測試。書后還附有詳細(xì)的測試實驗指導(dǎo)書，可有

集成電路是采用微納加工工藝將晶體管、電阻器、電容器和電感器等元器件互連集成在一起構(gòu)成的，具有特定功能的電路系統(tǒng)，俗稱芯片。 本書立足集成電路專業(yè)，幫助讀者從理論到應(yīng)用系統(tǒng)了解集成電路科學(xué)與工程的研究核心與行業(yè)動態(tài)，包括集成電路科學(xué)與工程發(fā)展史、集成電路關(guān)鍵材料、集成電路晶體管器件、集成電路工藝設(shè)備、集成電路制造工藝、大

本書根據(jù)電工學(xué)課程教學(xué)基本要求編寫而成，主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件、基本放大電路、集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用、門電路和組合邏輯電路、觸發(fā)器和時序邏輯電路、CPLD/FPGA基礎(chǔ)、整流電路和直流穩(wěn)壓電源、晶閘管及其應(yīng)用。

后摩爾時代將硅通孔（throughsiliconvia，TSV）技術(shù)等先進(jìn)集成封裝技術(shù)作為重要發(fā)展方向。本書系統(tǒng)介紹作者團(tuán)隊在TSV三維集成方面的研究工作，包括緒論、TSV工藝仿真、TSV工藝、TSV三維互連電學(xué)設(shè)計、三維集成微系統(tǒng)的熱管理方法、三維集成電學(xué)測試技術(shù)、TSV轉(zhuǎn)接板技術(shù)、TSV三維集成應(yīng)用、發(fā)展趨勢。為了

本書主要介紹近幾年來作者在系統(tǒng)簽名理論方面的研究成果，內(nèi)容側(cè)重于系統(tǒng)簽名的度量特征，主要探討如何更有效地從系統(tǒng)結(jié)構(gòu)出發(fā)來計算簽名，以及簽名作為可靠性度量的年齡性質(zhì)等，這些結(jié)果對系統(tǒng)簽名在可靠性中獲得更深入的應(yīng)用至關(guān)重要。此外，本書還介紹了文獻(xiàn)中已有的系統(tǒng)簽名的一些擴(kuò)展，包括多狀態(tài)系統(tǒng)簽名、多類型系統(tǒng)簽名、概率簽名、耦合

輻射在半導(dǎo)體器件中電離產(chǎn)生電子-空穴對，長時間輻射劑量累積引起半導(dǎo)體器件電離輻射總劑量效應(yīng)。電離輻射總劑量效應(yīng)是輻射效應(yīng)中最常見的一種，會導(dǎo)致器件性能退化、閾值電壓漂移、遷移率下降、動態(tài)和靜態(tài)電流增加，甚至功能失效，因此在輻射環(huán)境中工作的半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)必須考慮電離輻射總劑量效應(yīng)問題。本書主要介紹空間輻射環(huán)境與效應(yīng)