本書是作者及其所在團隊基于多年的光學特性研究與實踐應(yīng)用編寫而成。全書從目標特性服務(wù)于光學探測識別應(yīng)用的視角，系統(tǒng)地論述了目標與環(huán)境紅外輻射及其傳輸?shù)幕�本理論、計算方法、測試技術(shù)與數(shù)據(jù)處理；介紹了紅外成像探測的基本原理、目標特性與紅外探測的相互約束及影響、紅外成像與紅外光譜的特征提取與識別方法；并將目標特性與新興的人工智

中紅外波段光學材料與技術(shù)在國防、醫(yī)療等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值。本書以最為實用的工業(yè)技術(shù)以及最為前沿的科研成果為題材，系統(tǒng)總結(jié)了中紅外光源、材料及與之相關(guān)的各種應(yīng)用技術(shù)。主要內(nèi)容包括中紅外激光傳輸光纖、紅外光學薄膜、波導、單晶與陶瓷、半導體發(fā)光材料、紅外窗口材料、金剛石膜與類金剛石膜紅外光學應(yīng)用、2.0mm波段激光器、3

本書系統(tǒng)介紹了通信網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)理論和應(yīng)用，理論與實際相結(jié)合，通俗易懂、實用性強。全書共10章，主要內(nèi)容包括緒論、通信網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)和協(xié)議建�；�礎(chǔ)、排隊論及其應(yīng)用、圖論及其應(yīng)用、通信網(wǎng)絡(luò)中的傳輸與交換、多址接入、流量控制和擁塞控制、自組織網(wǎng)絡(luò)及其分析方法、網(wǎng)絡(luò)性能分析與仿真，以及智能化通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)。

本書面向世界科技前沿和國家重大需求，針對高效率Ⅲ族氮化物LED芯片設(shè)計和制造的關(guān)鍵問題，基于作者在III族氮化物LED外延生長和芯片制造領(lǐng)域十余年的研究基礎(chǔ)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗，融入國內(nèi)外同行在這一領(lǐng)域的研究成果，從藍光/綠光/紫外LED外延結(jié)構(gòu)設(shè)計與材料生長、水平結(jié)構(gòu)/倒裝結(jié)構(gòu)/垂直結(jié)構(gòu)/高壓LED芯片設(shè)計與制造工藝、LED

本書針對NS-2無線網(wǎng)絡(luò)仿真入門難的問題，論述NS-2仿真基礎(chǔ)，系統(tǒng)闡述NS-2仿真方法；針對NS-2無線網(wǎng)絡(luò)仿真創(chuàng)新難的問題，系統(tǒng)闡述NS-2仿真自組織網(wǎng)絡(luò)、三維飛行自組織網(wǎng)絡(luò)和三維水聲傳感器網(wǎng)絡(luò)路由協(xié)議的方法。

本書對特征模法相關(guān)的參數(shù)進行了詳細的介紹，包括特征值、模式重要性、特征角、Q值、特征場等，對于相關(guān)參數(shù)在各種天線中的**應(yīng)用方法進行了闡述。此外，本書從能量的觀點和電路的觀點分別闡述了特征模式的耦合，也對模式的Q值進行了深入的探討。本書不僅介紹了經(jīng)典的特征模理論指導天線設(shè)計的方法，還對各應(yīng)用領(lǐng)域相關(guān)的前沿內(nèi)容進行了闡述

本書主要介紹了碳化硅(SiC)傳感器在高溫下熱電特性的研究進展。本書可分為三部分，共七章。第一部分從單層SiC和多層SiC的熱阻效應(yīng)、熱電效應(yīng)、熱電子效應(yīng)和熱電容效應(yīng)等物理效應(yīng)方面來介紹SiC的熱電特性；第二部分介紹了SiC的諸多重要特征以及SiCMEMS的制造流程，總結(jié)了SiC傳感器、熱流傳感器和對流慣性傳感器的**

混沌密碼分析與混沌密碼設(shè)計是混沌密碼學對立統(tǒng)一的兩個基本組成部分。本書以混沌密碼分析為主軸,全面而詳細地介紹混沌密碼分析學的理論和算法,給出具體的程序?qū)嵺`和攻擊場景分析。除闡明混沌密碼中存在的一般密碼安全問題外,還分析基于數(shù)字混沌特性的特有安全缺陷,并在此基礎(chǔ)上總結(jié)設(shè)計高效安全混沌密碼的一般原則。全書共9章,第1章介紹

主要內(nèi)容共6章，包括：緒論、壓接型IGBT器件失效模擬與可靠性評估、金屬化膜電容器失效模擬與可靠性評估、采用關(guān)鍵部件故障率模型的換流閥可靠性評估模型、采用關(guān)鍵部件物理場失效模擬的換流閥可靠性評估模型、換流閥可靠性評估軟件。全書以壓接型IGBT器件、金屬化膜電容器等柔直換流閥核心部件可靠性分析為基礎(chǔ)，系統(tǒng)闡述了柔性直流換

本書共設(shè)計了11個項目28個任務(wù)，涵蓋了集成電路制造工藝的硅片制造、晶圓制造、晶圓測試、集成電路封裝與測試等集成電路制造的基本知識和基本操作，分別介紹硅提純、單晶硅生長、薄膜制備、光刻、刻蝕、摻雜、扎針測試、晶圓打點、晶圓烘烤、晶圓貼膜、晶圓劃片、芯片粘接、引線鍵合、塑封、激光打標、切筋成型及集成電路芯片測試等內(nèi)容與虛