作為各類電力電子系統中的關鍵部件，功率半導體器件受到越來越多的關注。
功率器件的主要應用包括電源、電機控制、可再生能源、交通、通信、供熱、機器人技術及電力傳輸和分配等方面。半導體功率器件在這些系統中的應用可以顯著節(jié)省能源，加強化石燃料的節(jié)約，并減少環(huán)境污染。
隨著一些新興市場的出現，包括光伏電池和燃料電池的電能變換器、電動汽車（ＥＶ）和混合動力電動汽車（ＨＥＶ）用電能變換器和逆變器，以及智能電力設備配電網的控制，電力電子在過去的十年里再次引發(fā)全新的關注。目前，半導體功率器件是未來全球節(jié)能和電能管理的關鍵推動力之一。
在過去的幾十年里，硅功率器件得到了顯著的提升。然而，這些器件正在接近由硅的基本材料特性所限定的性能極限，進一步性能的提升只有通過遷移到更強大的半導體材料。碳化硅（ＳｉＣ） 是一種有著優(yōu)異物理和電氣性能的寬禁帶半導體，適合作為未來的高電壓、低損耗電力電子的基礎。
ＳｉＣ是一種Ⅳ －Ⅳ族化合物半導體，有著２�保场�３�保常澹值慕麕�寬度（取決于晶體結構，或多型體），它擁有１０倍于Ｓｉ的擊穿電場強度、３倍于Ｓｉ的熱導率，使得ＳｉＣ對于大功率和高溫器件具有特別的吸引力。例如，在給定阻斷電壓下，ＳｉＣ功率器件的通態(tài)電阻比Ｓｉ器件的要低好幾個數量級，這會大大提高電能變換效率。
ＳｉＣ的寬禁帶特性和高熱穩(wěn)定性使得某些類型的ＳｉＣ器件可以在結溫達３００℃或者更高的溫度下無限期工作而不會產生可測量的性能退化。在寬禁帶半導體中，ＳｉＣ是比較特殊的，因為它可以容易地在超過５個數量級的范圍進行ｐ型或者ｎ型摻雜；另外，ＳｉＣ是唯一的化合物半導體，其自然氧化物是ＳｉＯ２，是和硅的自然氧化物一樣的絕緣體，這使得用ＳｉＣ制造整個基于ＭＯＳ（金屬－氧化物－半導體） 家族的電子器件成為可能。
自２０世紀８０年代以來，有關ＳｉＣ材料和器件技術的開發(fā)得到了持續(xù)的投入。
基于２０世紀８０年代和９０年代的多項技術突破，ＳｉＣ肖特基勢壘二極管（ＳＢＤ）的商業(yè)化產品于２００１年成功面世，并且在過去的若干年里，ＳｉＣＳＢＤ的市場得到了迅速發(fā)展。ＳＢＤ被應用于各種類型的電力系統中，包括開關電源、光伏變換器及空調、電梯和地鐵的電機控制。ＳｉＣ功率開關器件的商業(yè)化生產開始于２００６～２０１０年間，主要有ＪＦＥＴ（結型場效應晶體管） 和ＭＯＳＦＥＴ（金屬－氧化物－半導體場效應晶體管）。這些器件得到了市場廣泛接受，現在，很多行業(yè)已經開始利用這些ＳｉＣ功率開關器件所帶來的好處。作為一個例子，根據ＳｉＣ元器件應用的程度，一個電源或逆變器的體積和重量可以減少４～１０倍。除了尺寸和重量方面的減少外，使用ＳｉＣ元器件還可以使功耗也得到了大幅降低，從而使電力變換系統的效率得到顯著提高。
近年來，ＳｉＣ專業(yè)社團在學術界和工業(yè)界發(fā)展迅猛，越來越多的公司在致力于發(fā)展ＳｉＣ晶圓和／或器件的生產制造能力，相關的年輕科學家和工程師的數量也在與日俱增。然而，現在幾乎沒有教科書在從材料到器件再到應用這樣寬的范圍內涵蓋ＳｉＣ技術，因此，這些科學家、工程師和研究生會是本書的潛在讀者。作者也希望本書對這些讀者來說是及時的和有益的，并使得他們可以迅速獲得在此領域內實踐所需的基本知識。由于本書同時包涵了基礎和高級概念，需要讀者有一定的半導體物理及器件基礎，不過，對于材料科學或者電氣工程專業(yè)的研究生來說，閱讀本書將不會有困難。
本書所涉及的主要內容包括ＳｉＣ的物理特性、晶體和外延生長、電學和光學性能的表征、擴展缺陷和點缺陷、器件工藝、功率整流器和開關器件的設計理念、單／雙極型器件的物理和特征、擊穿現象、高頻和高溫器件以及ＳｉＣ器件的系統應用，涵蓋了基本概念和最新發(fā)展現狀。特別是，我們力圖對每個主題做深入的闡釋，包括基本的物理特性、最新的理解、尚未解決的問題和未來的挑戰(zhàn)。
最后，本書作者致謝這一領域的一些同事和先驅，特別感謝Ｗ�保湿保茫瑁铮�ｋｅ教授（匹茲堡大學）、Ｈ�保停幔簦螅酰睿幔恚闃s譽教授（京都大學）、Ｇ�保校澹睿螅觳┦浚ò�爾蘭根－紐倫堡大學，已故）、Ｅ�保剩幔睿�éｎ教授（林雪平大學）和Ｊ�保转保校幔欤恚铮酰虿┦浚�科銳公司），感謝他們對本領域和我們對本領域的認識的寶貴貢獻；我們也對Ｗｉｌｅｙ出版社的ＪａｍｅｓＭｕｒｐｈｙ先生和ＣｌａｒｉｓｓａＬｉｍ女士的指導和耐心表示感謝。最后，我們要感謝我們的家人在寫作本書時給予的體貼支持和鼓勵，沒有他們的支持和理解，就不會有本書的出版。
木本恒暢詹姆士Ａ.庫珀