第1章　緒論 1 1.1　單片智能功率芯片與厚膜SOI工藝　1 1.1.1　單片智能功率芯片　1 1.1.2　厚膜SOI工藝　2 1.1.3　LIGBT器件及其應用需求　3 1.2　高壓厚膜SOI-LIGBT器件的研究現(xiàn)狀　6 1.2.1　互連線技術　6 1.2.2　電流密度提升技術　7 1.2.3　短路魯棒性　8 1.2.4　關斷魯棒性　10 1.2.5　快速關斷技術　11 1.3　本書內(nèi)容　12 參考文獻　13 第2章　高壓厚膜SOI-LIGBT器件的基本原理　20 2.1　耐壓原理　20 2.2　導通原理　22 2.3　關斷原理　24 2.3.1　開關波形　24 2.3.2　關斷的物理過程　26 2.4　短路過程與失效機理　27 參考文獻　32 第3章　高壓厚膜SOI-LIGBT器件的互連線技術　33 3.1　HVI導致?lián)舸╇妷合陆档臋C理　33 3.2　等深雙溝槽互連線技術　35 3.3　非等深雙溝槽互連線技術　41 3.4　本章小結(jié)　49 參考文獻　50 第4章高壓厚膜SOI-LIGBT器件的電流密度提升技術　51 4.1　電流密度與閂鎖電壓的折中關系　51 4.2　直角U型溝道技術　55 4.3　非直角U型溝道技術　60 4.4　本章小結(jié)　70 參考文獻　71 第5章高壓厚膜SOI-LIGBT器件的魯棒性　73 5.1　關斷魯棒性　73 5.1.1　多跑道并聯(lián)SOI-LIGBT器件的非一致性關斷特性　73 5.1.2　非一致性關斷行為的改進　83 5.2　短路魯棒性　84 5.2.1　雙柵控制型器件及其短路能力　84 5.2.2　溝槽柵U型溝道器件的特性　89 5.2.3　平面柵與溝槽柵U型溝道器件的短路特性對比　94 5.3　開啟電流過沖與di/dt控制技術　104 5.3.1　U型溝道SOI-LIGBT器件的di/dt可控性　104 5.3.2　預充電控制技術　106 5.4　擊穿電壓漂移現(xiàn)象　110 5.4.1　低溫動態(tài)雪崩測試　111 5.4.2　動態(tài)雪崩穩(wěn)定性機理　113 5.4.3　優(yōu)化策略討論　118 5.5　本章小結(jié)　122 參考文獻　122 第6章高壓厚膜SOI-LIGBT器件的快速關斷技術　127 6.1　漂移區(qū)深溝槽技術　127 6.1.1　漂移區(qū)雙溝槽器件及其關斷特性　127 6.1.2　漂移區(qū)三溝槽器件及其關斷特性　135 6.2　電壓波形平臺的產(chǎn)生機理與消除技術　144 6.2.1　電壓波形平臺的產(chǎn)生機理　145 6.2.2　電壓波形平臺的消除技術　148 6.3　復合集電極技術　156 6.3.1　復合集電極結(jié)構(gòu)與原理　157 6.3.2　復合集電極SOI-LIGBT器件的特性　160 6.4　橫向超結(jié)技術　165 6.4.1　橫向超結(jié)的排列方式　166 6.4.2　關斷過程電壓波形分析　168 6.4.3　橫向超結(jié)優(yōu)化策略　174 6.5　陽極短路技術　178 6.5.1　結(jié)構(gòu)和工作機理　178 6.5.2　電學特性　183 6.6　本章小結(jié)　188 參考文獻　189 第7章高壓厚膜SOI-LIGBT器件工藝流程與版圖設計　193 7.1　工藝流程　193 7.2　版圖設計　196 7.2.1　直條區(qū)域　196 7.2.2　拐角區(qū)域與HVI　197 7.2.3　跑道和隔離溝槽　197 參考文獻　198 符號、變量注釋表　199 縮略語　201