第一章 緒論 001~020 第一節(jié)　掃描電子顯微分析的基礎(chǔ)功能 002 一、顯微形貌 004 二、成分分析 005 三、晶體結(jié)構(gòu)分析 006 第二節(jié)　掃描電子顯微技術(shù)的擴(kuò)展 007 一、束閘技術(shù) 008 二、陰極熒光技術(shù) 008 三、超快技術(shù) 009 四、高通量和多電子束技術(shù) 009 五、離線軟件 010 第三節(jié)　掃描電子顯微聯(lián)用技術(shù) 010 一、光電關(guān)聯(lián)分析技術(shù) 011 二、拉曼譜儀與掃描電鏡聯(lián)用技術(shù) 011 三、掃描探針顯微鏡與掃描電鏡聯(lián)用技術(shù) 012 四、聚焦離子束掃描電鏡 012 第四節(jié)　掃描電子顯微分析技術(shù)的前沿應(yīng)用與展望 013 一、掃描電子顯微分析技術(shù)的前沿應(yīng)用 013 二、掃描電子顯微分析技術(shù)展望 015 參考文獻(xiàn) 016 第二章 掃描電子顯微鏡分析 021~120 第一節(jié)　概述 022 一、掃描電鏡的發(fā)展簡(jiǎn)史 022 二、掃描電鏡的種類 024 第二節(jié)　電子與物質(zhì)的相互作用 027 一、電子散射 027 二、電子束與樣品相互作用產(chǎn)生的信息 030 三、相互作用的蒙特卡羅模擬 036 四、薄膜樣品相互作用體積 038 五、電子束損傷 039 第三節(jié)　掃描電鏡的原理與結(jié)構(gòu) 040 一、掃描電鏡的基本原理 040 二、掃描電鏡的結(jié)構(gòu) 041 第四節(jié)　掃描電鏡探測(cè)器 043 一、二次電子探測(cè)器 043 二、背散射電子探測(cè)器 046 三、鏡筒內(nèi)探測(cè)器 047 四、掃描透射電子探測(cè)器 050 五、陰極熒光探測(cè)器 051 六、聲子探測(cè)器 052 第五節(jié)　掃描電鏡圖像 052 一、二次電子像 052 二、背散射電子像 052 三、吸收電流像 053 四、透射電子像 053 五、束感生電流像 054 六、陰極熒光像 055 七、聲子像 057 第六節(jié)　掃描電鏡圖像襯度 058 一、襯度的形成原理 058 二、襯度的分類 058 第七節(jié)　掃描電鏡參數(shù)及其設(shè)置 066 一、工作距離和景深 067 二、加速電壓 068 三、束流和束斑直徑 069 四、像素 070 五、亮度和對(duì)比度 072 第八節(jié)　掃描電鏡圖像分辨率與放大倍數(shù) 072 一、分辨率 072 二、分辨率影響因素 073 三、分辨率的測(cè)量 077 四、放大倍數(shù)及其測(cè)量 079 第九節(jié)　掃描電鏡圖像缺陷 081 一、像散 081 二、樣品荷電 083 三、熱損傷現(xiàn)象 085 四、積碳污染 086 五、莫爾條紋 087 六、圖像漂移 087 七、震動(dòng)和電磁干擾 087 八、避免圖像缺陷的方法 088 第十節(jié)　掃描電鏡工作模式與成像技術(shù) 088 一、高分辨模式與技術(shù) 089 二、低電壓模式 091 三、大景深模式 093 四、大束流模式 093 五、三維成像技術(shù) 094 六、圖像觀察與拍照技術(shù) 096 七、圖像處理技術(shù) 097 第十一節(jié)　低電壓掃描電鏡 098 一、浸沒(méi)式電子槍 099 二、光闌角度控制透鏡 100 三、減小色差的減速技術(shù) 100 四、單色器 103 第十二節(jié)　掃描電鏡在材料科學(xué)研究中的部分應(yīng)用 104 一、多種納米復(fù)合材料的制備與SEM表征 104 二、有機(jī)分子篩膜的SEM表征 111 三、熱障涂層的SEM表征 113 參考文獻(xiàn) 115 第三章 電子探針 121~152 第一節(jié)　概述 122 一、電子探針發(fā)展概況 122 二、電子探針?lè)治鎏攸c(diǎn) 123 第二節(jié)　電子探針的儀器構(gòu)造與工作原理 123 一、儀器構(gòu)造 123 二、工作原理 127 第三節(jié)　電子探針?lè)治龇椒?134 一、點(diǎn)分析 134 二、線分析 135 三、面分析 135 第四節(jié)　軟件 135 第五節(jié)　樣品制備 136 一、樣品的基本要求 136 二、樣品的制備方法 137 第六節(jié)　電子探針波譜定量分析實(shí)用技術(shù) 139 一、標(biāo)準(zhǔn)樣品 139 二、未知樣品定量分析 140 三、輕元素定量分析 142 四、稀土元素定量分析 143 第七節(jié)　典型應(yīng)用 145 一、地質(zhì)礦物 145 二、復(fù)合材料 147 三、合金材料 148 四、催化劑 149 五、玻璃 149 參考文獻(xiàn) 150 第四章 X射線顯微分析 153~200 第一節(jié)　概述 154 第二節(jié)　X射線能譜儀 154 一、X射線產(chǎn)生的基本原理 155 二、能譜儀的構(gòu)成 158 三、能譜分析的工作條件 164 四、定性分析 166 五、定量分析 170 六、能譜的分析方法 173 七、能譜分析的空間分辨率及低電壓能譜 175 八、能譜探測(cè)器的進(jìn)展 177 第三節(jié)　X射線波譜儀 182 一、波譜儀的原理 182 二、波譜儀結(jié)構(gòu) 183 三、定性和定量分析 185 四、波譜儀和能譜儀的組合應(yīng)用 187 第四節(jié)　顯微X射線熒光 188 一、X射線熒光光譜儀的原理 188 二、X射線熒光光譜儀的儀器結(jié)構(gòu) 188 三、X射線熒光光譜儀的特點(diǎn)及應(yīng)用 190 第五節(jié)　X射線顯微分析技術(shù)的部分應(yīng)用 191 一、EDS的典型應(yīng)用 191 二、WDS的典型應(yīng)用 195 三、XRF的典型應(yīng)用 197 參考文獻(xiàn) 198 第五章 電子背散射衍射分析 201~246 第一節(jié)　概述 202 一、電子背散射技術(shù)發(fā)展回顧 202 二、電子背散射衍射技術(shù)特點(diǎn) 203 第二節(jié)　電子背散射衍射花樣 203 一、菊池花樣與電子背散射衍射花樣 203 二、背散射電子衍射基礎(chǔ) 204 三、背散射衍射花樣的形成 205 四、透射菊池衍射 206 第三節(jié)　背散射電子衍射儀 207 一、熒光屏 208 二、光耦合 209 三、相機(jī) 209 四、背散射電子探測(cè)器集成相機(jī) 211 五、可伸縮支架 211 六、樣品臺(tái) 212 七、軟件 212 八、取向測(cè)量校準(zhǔn) 213 第四節(jié)　花樣采集 215 一、樣品制備 215 二、電鏡的工作參數(shù) 216 三、相機(jī)參數(shù)設(shè)置 220 四、花樣質(zhì)量 222 第五節(jié)　背散射電子衍射花樣的探測(cè)與標(biāo)定 223 一、霍夫變換 223 二、花樣探測(cè) 224 三、花樣標(biāo)定 225 四、物相鑒定 227 五、標(biāo)定結(jié)果的質(zhì)量評(píng)定 229 第六節(jié)　背散射電子衍射晶體取向分析技術(shù) 231 一、晶體取向數(shù)據(jù) 232 二、晶體取向的表述 232 三、EBSD坐標(biāo)空間 238 四、晶體取向技術(shù)的應(yīng)用基礎(chǔ) 241 五、取向測(cè)量發(fā)散度 244 參考文獻(xiàn) 244 第六章 聚焦離子束 247~298 第一節(jié)　概述 248 第二節(jié)　離子與固體的相互作用 250 一、離子在固體中的能量損失 250 二、離子在固體材料中的射程 253 三、通道效應(yīng) 254 四、相互作用示意圖 255 五、相互作用導(dǎo)致的物理化學(xué)現(xiàn)象 256 第三節(jié)　聚焦離子束系統(tǒng) 257 一、真空系統(tǒng) 258 二、離子源 258 三、離子光學(xué)鏡筒 261 四、工件臺(tái) 262 五、圖形發(fā)生器 262 六、成像探測(cè)器 263 七、氣體注入系統(tǒng) 264 八、用戶界面 264 第四節(jié)　離子束激發(fā)成像 265 一、離子和電子與固體相互作用比較 265 二、離子誘導(dǎo)二次電子發(fā)射 266 三、離子束成像 266 第五節(jié)　聚焦離子束刻蝕 269 一、離子束濺射刻蝕 270 二、輔助氣體刻蝕與沉積 271 三、惰性氣體離子源刻蝕 274 四、冷凍刻蝕 274 第六節(jié)　聚焦離子束掃描電鏡 276 一、雙束系統(tǒng)配置 276 二、雙束系統(tǒng)的截面加工與成像 277 三、激光FIB-SEM 278 第七節(jié)　掃描氦離子顯微鏡 279 一、結(jié)構(gòu)與原理 280 二、掃描氦離子顯微鏡的性能 281 三、掃描氦離子顯微鏡應(yīng)用 282 第八節(jié)　FIB離子質(zhì)譜平臺(tái) 283 一、FIB/SIMS系統(tǒng)的基本構(gòu)成 283 二、質(zhì)量分析器 283 三、FIB/SIMS系統(tǒng)的應(yīng)用 284 第九節(jié)　FIB技術(shù)的應(yīng)用 285 一、透射電鏡樣品制備 285 二、EBSD樣品制備 287 三、切割截面表征分析 289 四、三維表征技術(shù) 289 五、微納加工 290 參考文獻(xiàn) 296 第七章 樣品制備 299~332 第一節(jié)　概述 300 第二節(jié)　無(wú)機(jī)材料的制備 301 一、金屬樣品 301 二、陶瓷和地質(zhì)樣品 303 三、半導(dǎo)體樣品 304 第三節(jié)　塊狀和粉末樣品的制備 305 一、塊狀樣品 305 二、粉末樣品 306 第四節(jié)　塑料和涂料等有機(jī)聚合物樣品的制備 308 一、聚合物表面的測(cè)試 308 二、聚合物內(nèi)部的測(cè)試 308 三、聚合物的表面刻蝕 309 四、聚合物的染色 310 五、特殊制備方法 311 第五節(jié)　生物樣品的制備 312 一、取材 312 二、清洗 313 三、固定 313 四、脫水 313 五、干燥 314 第六節(jié)　掃描電鏡鍍膜技術(shù) 315 一、熱蒸發(fā) 316 二、濺射鍍膜 318 三、塊狀樣品導(dǎo)電染色 323 第七節(jié)　冷凍掃描電鏡制樣技術(shù) 325 一、低溫冷凍掃描電鏡技術(shù)的原理 325 二、快速冷凍過(guò)程及裝置 326 三、真空冷凍傳輸裝置 326 四、冷凍掃描電鏡觀察 327 五、冷凍掃描電鏡制樣技術(shù)的部分 應(yīng)用 328 參考文獻(xiàn) 331 第八章 掃描電鏡的擴(kuò)展與聯(lián)用技術(shù) 333~383 第一節(jié)　概述 334 第二節(jié)　掃描電鏡靜電束閘技術(shù) 335 一、掃描電鏡電子束光刻技術(shù) 335 二、時(shí)間分辨陰極熒光 337 第三節(jié)　掃描電鏡樣品原位加熱顯微分析 341 一、儀器結(jié)構(gòu) 341 二、應(yīng)用 341 第四節(jié)　原位力學(xué)性能測(cè)量 351 一、儀器結(jié)構(gòu) 351 二、應(yīng)用 352 第五節(jié)　納米操縱機(jī)械手 358 一、儀器結(jié)構(gòu) 359 二、應(yīng)用 361 第六節(jié)　光電關(guān)聯(lián)技術(shù) 365 一、光電關(guān)聯(lián)系統(tǒng)的構(gòu)成 365 二、圖像關(guān)聯(lián)的原理 366 三、關(guān)聯(lián)分析的特點(diǎn) 366 四、CLEM技術(shù)的應(yīng)用 367 五、CLEM樣品制備 368 第七節(jié)　掃描電鏡與拉曼聯(lián)用技術(shù) 368 一、聯(lián)用系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 368 二、拉曼成像原理 369 三、功能與特點(diǎn) 370 四、應(yīng)用 371 第八節(jié)　掃描探針與SEM聯(lián)用技術(shù) 373 一、CPEM的工作模式 374 二、CPEM對(duì)SEM的幫助 375 第九節(jié)　超快掃描電鏡 375 一、基本構(gòu)成 376 二、原理 377 三、應(yīng)用 380 參考文獻(xiàn) 381 本書(shū)縮寫(xiě)符號(hào)表 384~386 索引 387~391