氧化鎵(Ga2O3)具有超寬禁帶和高臨界擊穿場強，可滿足電力電子系統(tǒng)高功率(密度)、高效率和小型化發(fā)展需求，在航空航天、智能電網等領域應用前景廣闊，但器件受限于高耐壓和低功耗的矛盾關系，且當前對大功率器件及其熱穩(wěn)定性研究較少。為此，本論文在Ga2O3器件新結構與熱穩(wěn)定性方面開展理論和實驗創(chuàng)新研究。本研究為氧化鎵功率器件在高功率和低功耗系統(tǒng)中的應用奠定基礎。本書主要包括以下3個方面的內容。1.具有復合終端的SBD新結構與新機理。2.大功率整流管新結構及其熱穩(wěn)定性。3.新型高壓低功耗鰭型器件及其應用。