硅基半導體應變技術(shù)是21世紀延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)之一。根據(jù)IRDS(國際設備和系統(tǒng)路線圖)對DRAM技術(shù)發(fā)展趨勢的預測, 在今后很長一段時間內(nèi), 硅基半導體應變技術(shù)仍然是提升半導體器件與電路遷移率和高場傳輸特性的可持續(xù)改進關(guān)鍵技術(shù)。

本書共分為9章, 主要內(nèi)容包括硅基半導體應變理論與技術(shù)、硅基半導體應變能帶理論與空間群、應變鍺能帶結(jié)構(gòu)計算、硅基半導體應變彈塑性力學理論、臨界帶隙應變Ge1-xSnx合金能帶特性與遷移率計算、硅基半導體應變材料的RPCVD計算流體動力學模擬、硅基半導體應變材料CVD生長機理與生長動力學模型、硅基半導體應變材料的缺陷形成機理與控制方法、硅基半導體應變材料的生長動力學與制備實驗等。

本書主要面向硅基半導體應變理論與技術(shù)領域的研究者, 同時也可作為本科微電子科學與工程專業(yè)和研究生微電子學與固體電子學專業(yè)相關(guān)課程的教學參考書。