本書首先簡要闡述近年來新型瞬態(tài)電真空半導體光電子器件內(nèi)涵、特點、研究意義與國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀，使讀者對新型瞬態(tài)電真空半導體光電子器件有一個宏觀把握和大致了解:接著對影響新型瞬態(tài)電真空半導體光電子器件總體設計方案的多種外界約束條件和性能指標進行分析;然后重點論述新型瞬態(tài)電真空半導體光電子器件總體情況與發(fā)展趨勢，并分別詳細論述了寬禁帶紫外半導體激射原理，電真空光電倍增原理與復合探測機制，真空半導體電子倍增成像器件以及未來光電調(diào)制技術(shù)等。每個部分都包括基本原理系統(tǒng)約束、關(guān)鍵技術(shù)及其器件優(yōu)化設計與性能平衡。
本書是一本光電子技術(shù)領域的基礎性和前沿性相結(jié)合、理論論述與科研成果相結(jié)合的專著，內(nèi)容新穎、物理概念清晰，本書不僅可以直接針對從事空間光電技術(shù)領域的科技人員，而且還適合光學工程、通信工程等學科的高年級本科生、研究生和高等學校教師參考和閱讀。"