氧化鎵作為新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應(yīng)用前景。本書從氧化鎵半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程、材料特性、材料制備原理與技術(shù)及電學(xué)性質(zhì)調(diào)控等幾個方面做了較全面的介紹,重點梳理了作者及國內(nèi)外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果;系統(tǒng)闡述了獲得高質(zhì)量體塊單晶及薄膜的
本書以第三代半導(dǎo)體與二維材料相結(jié)合的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用為目標(biāo),詳細(xì)介紹了二維材料上準(zhǔn)范德華外延氮化物的理論計算、材料生長、器件制備和應(yīng)用,內(nèi)容集學(xué)術(shù)性與實用性于一體。全書共8章,內(nèi)容包括二維材料及準(zhǔn)范德華外延原理及應(yīng)用、二維材料/氮化物準(zhǔn)范德華外延界面理論計算、二維材料/氮化物準(zhǔn)范德華外延成鍵成核、單晶襯底上氮化物薄膜準(zhǔn)范德華
氮化鋁晶體具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強等優(yōu)勢,是制備紫外發(fā)光器件和大功率電力電子器件的理想材料。本書以作者多年的研究成果為基礎(chǔ),參考國內(nèi)外的最新研究成果,詳細(xì)介紹了氮化鋁單晶材料生長與器件制備的基本原理、技術(shù)工藝、最新進展及發(fā)展趨勢。本書共7章,內(nèi)容包括氮化鋁單晶材料的基本性質(zhì)、缺陷及其生長的物理基礎(chǔ),物理氣相傳輸
本書聚焦電致變色,系統(tǒng)地總結(jié)了有機電致變色研究領(lǐng)域的最新研究成果。全書內(nèi)容涵蓋有機電致變色的發(fā)展歷程、器件結(jié)構(gòu)與原理、器件性能與測試、材料類型、多功能器件及電致變色器件的應(yīng)用與展望等,對于全面了解電致變色材料領(lǐng)域的最新研究進展具有重要作用。本書具有以下幾個特點:1)介紹了不同的電致變色材料與器件研究方面的發(fā)展情況和最新
量子點發(fā)光二極管(QLED)是顯示領(lǐng)域的一種新型材料,因其具有發(fā)光效率高、可溶解加工、色域廣、制造成本低、響應(yīng)速度快等優(yōu)勢,備受科研人員關(guān)注,有望在商業(yè)上獲得廣泛應(yīng)用。本書旨在向讀者介紹近年來國內(nèi)外膠體量子點發(fā)光材料與器件的進展,全面總結(jié)膠體量子點發(fā)光二極管器件中各功能層關(guān)鍵材料和器件的設(shè)計及優(yōu)化方案,探討材料性能、器
本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導(dǎo)體制造工藝的各個技術(shù)環(huán)節(jié)。全書共分為10章,包括俯瞰功率半導(dǎo)體工藝全貌、功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識及運作、各種功率半導(dǎo)體的作用、功率半導(dǎo)體的用途與市場、功率半導(dǎo)體的分類、用于功率半導(dǎo)體的硅晶圓、硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展、挑戰(zhàn)硅極限的SiC與GaN、功率半導(dǎo)體制造過程的特征、功率半導(dǎo)體開辟綠色
本書基于作者在薄膜晶體管液晶顯示器領(lǐng)域的開發(fā)實踐與理解,并結(jié)合液晶顯示技術(shù)的最新發(fā)展動態(tài),首先介紹了光的偏振性及液晶基本特點,然后依次介紹了主流的廣視角液晶顯示技術(shù)的光學(xué)特點與補償技術(shù)、薄膜晶體管器件的SPICE模型、液晶取向技術(shù)、液晶面板與電路驅(qū)動的常見不良與解析,最后介紹了新興的低藍(lán)光顯示技術(shù)、電競顯示技術(shù)、量子點
本書共七章,內(nèi)容包括緒論、InAs/AlSb異質(zhì)結(jié)外延材料特性及工藝、InAs/AlSbHEMTs器件特性及工藝、InAs/AlSbMOS-HEMTs基礎(chǔ)研究、InAs/AlSbHEMTs器件模型、InAs/AlSbHEMTs低噪聲放大器設(shè)計以及總結(jié)和展望。
本書以寬禁帶半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)與光電器件光學(xué)表征為主線,按照面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體前沿課題,注重先進光電器件與材料微結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)性質(zhì)和過程進行光學(xué)表征,以提升寬禁帶半導(dǎo)體光電子器件性能為目的的原則安排全書內(nèi)容,從應(yīng)用基礎(chǔ)研究和研發(fā)先進光電子器件的角度出發(fā),組織全國在該領(lǐng)域前沿進行一線科研工作的學(xué)者進行編寫,力爭用通俗易懂的語言,由淺
激光熱敏光刻具有以下特點:1)寬波段光刻,這類光刻膠的吸收光譜一般都覆蓋從近紅外到極紫外的整個光刻曝光的波段,可以稱之為寬波段光刻膠;2)突破衍射極限的光刻,光刻特征尺寸不再受制于光學(xué)衍射極限,而是取決于熱致結(jié)構(gòu)變化區(qū)域的尺寸;3)跨尺度光刻,光刻中激光光斑的強度一般呈高斯分布,光斑中心的溫度高,沿四周擴散并逐漸降低,