隨著5G通信、新能源汽車(chē)（xEV）等前沿技術(shù)的蓬勃發(fā)展，對(duì)高效、高可靠性的功率半導(dǎo)體的需求日益增長(zhǎng)，本書(shū)正是基于此而誕生的。本書(shū)分3篇，共有9章，內(nèi)容包括SiC功率半導(dǎo)體、GaN功率半導(dǎo)體、金剛石功率半導(dǎo)體、Ga2O3（氧化鎵）功率半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體與器件的封裝技術(shù)、功率半導(dǎo)體與器件的評(píng)估、汽車(chē)領(lǐng)域新一代功率半導(dǎo)體的實(shí)

本書(shū)是圍繞電子裝聯(lián)企業(yè)的崗位需求，以電子裝聯(lián)生產(chǎn)工藝順序?yàn)橹骶�設(shè)計(jì)典型工作任務(wù)，并結(jié)合電子信息制造業(yè)最新發(fā)展成果而編寫(xiě)的理實(shí)一體化新形態(tài)教材。全書(shū)共包含裝聯(lián)準(zhǔn)備、手工焊接與返修、表面貼裝元器件自動(dòng)裝聯(lián)、通孔元器件自動(dòng)裝聯(lián)、基板裝聯(lián)、先進(jìn)裝聯(lián)技術(shù)六個(gè)模塊。 本書(shū)配套提供豐富的數(shù)字化教學(xué)資源，包括教學(xué)課件、微課、操作視頻、

本書(shū)內(nèi)容以實(shí)用性為出發(fā)點(diǎn)，闡釋了氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導(dǎo)體的原理、制造工藝、特性表征、市場(chǎng)現(xiàn)狀以及針對(duì)關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)計(jì)方法。針對(duì)GaN器件，從材料特性、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝和外特性各方面深入分析，介紹了仿真手段和各種典型應(yīng)用，最后還介紹了目前主流的技術(shù)和GaN公司。

本書(shū)從光刻機(jī)到下一代光刻技術(shù)，從光刻膠材料到多重圖形化技術(shù)，全面剖析每一步技術(shù)革新如何推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向納米級(jí)精細(xì)加工的新高度。本書(shū)共6篇19章，內(nèi)容包括光刻機(jī)、激光光源、掩膜技術(shù)、下一代光刻技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)、EUV光刻技術(shù)、納米壓印光刻技術(shù)、電子束刻蝕技術(shù)與設(shè)備開(kāi)發(fā)、定向自組裝（DSA）技術(shù)、光刻膠材料的發(fā)展趨勢(shì)、化學(xué)增

本書(shū)首先簡(jiǎn)要闡述近年來(lái)新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件內(nèi)涵、特點(diǎn)、研究意義與國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀，使讀者對(duì)新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件有一個(gè)宏觀把握和大致了解:接著對(duì)影響新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件總體設(shè)計(jì)方案的多種外界約束條件和性能指標(biāo)進(jìn)行分析;然后重點(diǎn)論述新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件總體情況與發(fā)展趨勢(shì)，并分別詳細(xì)論述

本書(shū)綜合了近幾年工業(yè)界的最新進(jìn)展和學(xué)術(shù)界的最新研究成果，詳細(xì)介紹并討論了碳化硅功率器件的基本原理、發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)、特性及測(cè)試方法、應(yīng)用技術(shù)和各應(yīng)用領(lǐng)域的方案。本書(shū)共分為12章，內(nèi)容涵蓋功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，SiC二極管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件與Si器件特性對(duì)比，雙脈沖測(cè)試技術(shù)，SiC器件的測(cè)試

氧化鎵(Ga2O3)具有超寬禁帶和高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)，可滿(mǎn)足電力電子系統(tǒng)高功率(密度)、高效率和小型化發(fā)展需求，在航空航天、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊，但器件受限于高耐壓和低功耗的矛盾關(guān)系，且當(dāng)前對(duì)大功率器件及其熱穩(wěn)定性研究較少。為此，本論文在Ga2O3器件新結(jié)構(gòu)與熱穩(wěn)定性方面開(kāi)展理論和實(shí)驗(yàn)創(chuàng)新研究。本研究為氧化鎵功率器件

本書(shū)是一本微電子技術(shù)方面的入門(mén)書(shū)籍，全面介紹了半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識(shí)。全書(shū)分為三個(gè)部分共19章，首先介紹了半導(dǎo)體基礎(chǔ)，講解了半導(dǎo)體物理方面的相關(guān)知識(shí)以及半導(dǎo)體制備工藝方面的基本概念。書(shū)中闡述了pn結(jié)、雙極結(jié)型晶體管（BJT）和其他結(jié)型器件的基本物理特性，并給出了相關(guān)特性的定性與定量分析。最后，作者討論了場(chǎng)效應(yīng)器件，除了講

本書(shū)提供了在各個(gè)工藝及系統(tǒng)層次的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場(chǎng)趨勢(shì)和存儲(chǔ)應(yīng)用之后，本書(shū)重點(diǎn)介紹了各種主流技術(shù)，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機(jī)遇，并特別關(guān)注了可微縮途徑。這些述及的技術(shù)包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、非易失性存儲(chǔ)器(NVM)和NAND閃存。本書(shū)還提及了嵌入式存儲(chǔ)器

。本冊(cè)為《半導(dǎo)體工藝原理》，主要內(nèi)容包括：鍺和硅的化學(xué)制備與提純、半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)、硅片加工、氧化工藝、薄膜沉積工藝、外延工藝、光刻工藝概述、光刻設(shè)備、光刻材料、刻蝕工藝、摻雜工藝等。