本書首先簡(jiǎn)要介紹低維異質(zhì)半導(dǎo)體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長(zhǎng)兩種基本的低維半導(dǎo)體材料制備方法，簡(jiǎn)要說(shuō)明了分子束外延技術(shù)設(shè)備的工作原理和低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)過(guò)程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)的角度詳細(xì)闡述了硅鍺低維結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)機(jī)理及其相關(guān)理論，重點(diǎn)討論了圖形襯底上的硅鍺低維結(jié)構(gòu)可控生長(zhǎng)理論和硅鍺低

本書全面系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體薄膜的各種制備技術(shù)及其相關(guān)的物理基礎(chǔ)，全書共分十一章。第一章概述了真空技術(shù)，第二至第八章分別介紹了蒸鍍、濺射、化學(xué)氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學(xué)合成等各種半導(dǎo)體薄膜的沉積技術(shù)，第九章介紹了半導(dǎo)體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導(dǎo)體器件的制備技術(shù)，第十

表面組裝技術(shù)（SMT）是指把表面組裝元器件按照電路的要求放置在預(yù)先涂敷好焊膏的PCB的表面上，通過(guò)焊接形成可靠的焊點(diǎn)，建立長(zhǎng)期的機(jī)械和電氣連接的組裝技術(shù)。本書以表面組裝技術(shù)（SMT）生產(chǎn)過(guò)程為主線，詳細(xì)介紹了電子產(chǎn)品的表面組裝技術(shù)，主要內(nèi)容包括表面組裝技術(shù)概述、表面組裝材料、表面涂敷、貼片、焊接、清洗、檢測(cè)與返修等，其

本書在介紹半導(dǎo)體材料綜述，半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)、特性及理論基礎(chǔ)，半導(dǎo)體材料的雜質(zhì)、缺陷及其輻射效應(yīng)，半導(dǎo)體器件應(yīng)用及納米半導(dǎo)體材料等的基礎(chǔ)上，對(duì)國(guó)內(nèi)外發(fā)光材料研究、開發(fā)與應(yīng)用領(lǐng)域中取得的成就也進(jìn)行了闡述。主要內(nèi)容包括：半導(dǎo)體材料發(fā)展簡(jiǎn)史、半導(dǎo)體材料的主要用途、半導(dǎo)體材料的性能及其與器件的關(guān)系等。

本書介紹了硅材料的結(jié)構(gòu)與性能、分類及應(yīng)用、主要制備技術(shù)及工藝，重點(diǎn)對(duì)太陽(yáng)能電池、探測(cè)器等硅基光電子器件的結(jié)構(gòu)與原理做了闡述，在此基礎(chǔ)上分析了新型廣譜硅材料的特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)、光電性能、研究現(xiàn)狀及其在光電子器件方面的應(yīng)用。本書中作者圍繞硫族元素超飽和摻雜硅材料的制備、結(jié)構(gòu)、特性、超飽和硫摻雜硅探測(cè)器與太陽(yáng)能電池的研制及性能等方

本書從光的特性入手，詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體材料光電特性以及光、電相互作用機(jī)制和基本物理過(guò)程，重點(diǎn)闡述了半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池、光電導(dǎo)器件、光電二極管、光電耦合器件、CMOS圖像傳感器、發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器等半導(dǎo)體光電子器件的工作機(jī)制、基本物理過(guò)程、基本性能曲線、關(guān)鍵參數(shù)及影響器件性能的因素等。本書既可作為微電子、光電子及相關(guān)學(xué)

GaN基寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)具有很高的應(yīng)用價(jià)值，是發(fā)展高頻、高功率電子器件*優(yōu)選的半導(dǎo)體材料。本書基于國(guó)內(nèi)外GaN基電子材料和器件的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)，從晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)、襯底材料、外延生長(zhǎng)、射頻電子器件和功率電子器件研制等方面詳細(xì)論述了GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)和二維電子氣的物理性質(zhì)、國(guó)內(nèi)外發(fā)展動(dòng)態(tài)、面臨的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題

光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)。介紹了國(guó)際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測(cè)量法、干涉測(cè)量法等檢測(cè)技術(shù)，包括初級(jí)像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動(dòng)態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測(cè)技

光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)。介紹了國(guó)際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測(cè)量法、干涉測(cè)量法等檢測(cè)技術(shù)，包括初級(jí)像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動(dòng)態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測(cè)技

本書共7章，主要介紹了改性鍺半導(dǎo)體物理的相關(guān)內(nèi)容，包括Ge帶隙類型轉(zhuǎn)變理論、改性鍺半導(dǎo)體能帶與遷移率理論、改性鍺能帶調(diào)制理論、改性鍺半導(dǎo)體光學(xué)特性理論以及改性鍺MOS反型層能帶與遷移率理論等。通過(guò)本書的學(xué)習(xí)，可為讀者以后學(xué)習(xí)改性鍺器件物理奠定重要的理論基礎(chǔ)。本書可作為高等院校微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)研究生的參考書，也可