全書從基礎理論出發(fā)，涉及LED背光源的工作原理、主要組件、設計方法以及關鍵技術等內容。具體包括背光源的發(fā)展歷程、光學系統(tǒng)構成與參數(shù)指標、側入式和直下式背光源的結構設計，以及色域與光學計算方法。同時，書中對Mini-LED和量子點背光源等新興技術進行了詳細闡述，并展望了未來的發(fā)展方向。此外，考慮到光生物安全和藍光危害對用

IGCT具有通態(tài)壓降低、容量大、可靠性高、魯棒性好等有點，目前已應用在直流斷路器、模塊化多電平變換器、牽引系統(tǒng)變換器等應用場景。本書圍繞IGCT器件，分別展開介紹半導體物理基礎及工作原理、阻斷特性、開通與導通特性、關斷特性、封裝、驅動、可靠性及應用。同時，在各章中穿插IGCT的關鍵工藝技術，如深結推進、邊緣終端、質子輻

本書是一本微電子技術方面的入門書籍，全面介紹了半導體器件的基礎知識。全書分為三個部分共19章，首先介紹了半導體基礎，講解了半導體物理方面的相關知識以及半導體制備工藝方面的基本概念。書中闡述了pn結、雙極結型晶體管（BJT）和其他結型器件的基本物理特性，并給出了相關特性的定性與定量分析。最后，作者討論了場效應器件，除了講

本書提供了在各個工藝及系統(tǒng)層次的半導體存儲器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場趨勢和存儲應用之后，本書重點介紹了各種主流技術，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機遇，并特別關注了可微縮途徑。這些述及的技術包括靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、非易失性存儲器(NVM)和NAND閃存。本書還提及了嵌入式存儲器

。本冊為《半導體工藝原理》，主要內容包括：鍺和硅的化學制備與提純、半導體材料的生長、硅片加工、氧化工藝、薄膜沉積工藝、外延工藝、光刻工藝概述、光刻設備、光刻材料、刻蝕工藝、摻雜工藝等。

SMT技術是電子產(chǎn)品制造業(yè)最具生命力的技術之一，本教材根據(jù)技工院校相關專業(yè)教學要求和高級技工培養(yǎng)目標，結合教學計劃、教學大綱進行編寫，內容包括SMT編程基礎、印刷機編程技術、貼片機編程技術、回流焊機編程技術和AOI編程技術等，能夠幫助技工院校相關專業(yè)學生熟練掌握SMT編程技術知識。參與本教材編寫的作者，都是曾經(jīng)在SMT

本書詳細介紹了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的結構和工作原理、單元結構的設計；整個芯片架構，包括有源區(qū)、柵極焊盤和邊緣終端；保護電路；用于控制所述器件的柵極驅動電路；電路仿真模型。經(jīng)過作者的構思和商業(yè)化，在過去的40年里，IGBT已成為大部分經(jīng)濟部門電源管理的重要器件。本書提供了各個經(jīng)濟部門中用于每個IGBT應用的電路

本書共7章，主要內容包括緒論、半導體材料屬性實驗、二極管特性實驗、雙極型晶體管特性實驗、場效應晶體管特性實驗、專用半導體特性實驗、運算放大器實驗。本書涉及的實驗分為半導體器件物理理論課程相配套的經(jīng)典實驗、半導體器件物理前沿科技相關的器件實驗，以及后續(xù)集成電路設計課程銜接的相關實驗，形成了基礎性實驗、設計性實驗、綜合性實

本書面向Ⅲ族氮化物半導體LED的特性和應用研究，第一部分給出LED的光電子學特性分析方法以及器件性能提升方法，第二部分則在此基礎上給出LED在可見光通信、可見光定位以及照明顯示中的應用。

本書系統(tǒng)總結具有電子相變特性的過渡族化合物半導體材料體系，詳細介紹其晶體結構、電輸運與磁性、電子相轉變原理、材料合成與潛在應用等。全書共12章，其中第1章總述現(xiàn)有電子相變材料體系以及常見電子相變原理。由于具有相同的價電子數(shù)的過渡族元素的化合物中的軌道構型具有一定相近性，第2～11章將進一步按照副族周期元素對三十余種電子