本書共分為4章，內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件缺陷及失效分析技術(shù)概要、硅集成電路(LSI)的失效分析技術(shù)、功率器件的缺陷及失效分析技術(shù)、化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的缺陷及失效分析技術(shù)。筆者在書中各處開設(shè)了專欄，用以介紹每個領(lǐng)域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例題，這些例題出自日本科學(xué)技術(shù)聯(lián)盟主辦的“初級可靠性技術(shù)者”資格認(rèn)定考

作為國家信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)技術(shù)之一，光電子技術(shù)在寬帶互聯(lián)網(wǎng)、高性能計算、智能機(jī)器人、先進(jìn)制造和智慧城市等多個領(lǐng)域起到關(guān)鍵性支撐作用。它也因此成為了衡量一個國家綜合實力和國際競爭力的重要標(biāo)志。本書依據(jù)未來半導(dǎo)體光電子器件及光電集成系統(tǒng)發(fā)展趨勢，結(jié)合復(fù)合型人才培養(yǎng)需要，從半導(dǎo)體材料及其光電現(xiàn)象、半導(dǎo)體光電子器件的物理基礎(chǔ)入手，

本書介紹了熱敏(溫敏)電阻器的基本知識(分類、電導(dǎo)機(jī)制)、制備工藝、特性分析、測試表征。在儀器儀表中的應(yīng)用，溫度測量儀表的研制，及其計量測試方法進(jìn)行了闡述。特別是從陶瓷中發(fā)生的電子過程出發(fā)，論述了陶瓷的半導(dǎo)化過程及電導(dǎo)機(jī)制。著重論述了電路設(shè)計及應(yīng)用，計量示值誤差標(biāo)定方案和相關(guān)的計量技術(shù)規(guī)范，為熱敏陶瓷及其元件的制造、應(yīng)

彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的機(jī)械變形-電場-熱場-載流子分布等物理場的耦合分析十分復(fù)雜�！稄椥园雽�(dǎo)體的多場耦合理論與應(yīng)用》基于連續(xù)介質(zhì)力學(xué)、連續(xù)介質(zhì)熱力學(xué)及靜電學(xué)的基本原理，建立了半導(dǎo)體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎(chǔ)，采用材料力學(xué)及板殼力學(xué)的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的多場耦合問題，包括一維和二維壓電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（

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本書是微電子技術(shù)領(lǐng)域的基礎(chǔ)教程。全書涵蓋了量子力學(xué)、固體物理、半導(dǎo)體材料物理以及半導(dǎo)體器件物理等內(nèi)容，共分為三部分，第一部分介紹基礎(chǔ)物理，包括固體晶格結(jié)構(gòu)、量子力學(xué)和固體物理；第二部分介紹半導(dǎo)體材料物理，主要討論平衡態(tài)和非平衡態(tài)半導(dǎo)體以及載流子輸運(yùn)現(xiàn)象；第三部分介紹半導(dǎo)體器件物理，主要討論同質(zhì)pn結(jié)、金屬半導(dǎo)體接觸、異

本書首先深入探討了量子力學(xué)基礎(chǔ)及其在物質(zhì)、能帶理論、半導(dǎo)體和集成電路等領(lǐng)域的應(yīng)用。從電子的波動性質(zhì)、不確定性原理到量子隧穿效應(yīng)，逐步揭示量子世界的奧秘。接著，通過能帶理論和半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)的解析，闡明了半導(dǎo)體材料的電子行為。此外，還詳細(xì)介紹了摻雜半導(dǎo)體、晶格振動以及載流子輸運(yùn)現(xiàn)象等關(guān)鍵概念。最后，探討了MOS結(jié)構(gòu)、場效應(yīng)

本書為1X電子裝聯(lián)職業(yè)技能等級證書（高級）考核配套題庫，以職業(yè)技能等級標(biāo)準(zhǔn)和培訓(xùn)教材（高級）為依據(jù)進(jìn)行編寫。題庫重點圍繞生產(chǎn)管理與準(zhǔn)備、焊膏貼片膠涂敷、元器件貼裝、電子裝聯(lián)微焊接、自動接觸式與非接觸式檢測、返修技術(shù)、特種微焊接、故障診斷、分析與可靠性等角度進(jìn)行。題庫分為知識要求試題和技能要求試題兩部分，并附有知識要求試

《碳化硅器件工藝核心技術(shù)》共9章，以碳化硅(SiC)器件工藝為核心，重點介紹了SiC材料生長、表面清洗、歐姆接觸、肖特基接觸、離子注入、干法刻蝕、電解質(zhì)制備等關(guān)鍵工藝技術(shù)，以及高功率SiC單極和雙極開關(guān)器件、SiC納米結(jié)構(gòu)的制造和器件集成等，每一部分都涵蓋了上百篇相關(guān)文獻(xiàn)，以反映這些方面的最新成果和發(fā)展趨勢�！短蓟�硅器

本書不僅介紹了半導(dǎo)體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對每種材料的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)、對應(yīng)的等離子體源和刻蝕氣體化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行了詳細(xì)解釋。本書討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術(shù)，介紹了半導(dǎo)體廠商實際使用的刻蝕設(shè)備的類型和等離子體產(chǎn)生機(jī)理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應(yīng)離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，