本書對全球及我國顯示產(chǎn)業(yè)與顯示技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢進(jìn)行了研究分析，分別對顯示功能材料、顯示玻璃材料、顯示配套材料、柔性顯示高分子材料四大顯示領(lǐng)域關(guān)鍵材料的制備工藝、產(chǎn)業(yè)鏈、技術(shù)難點(diǎn)、國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀、發(fā)展趨勢、市場情況、國內(nèi)外競爭格局及重點(diǎn)企業(yè)進(jìn)行了全面的研究分析，并深入分析了我國信息顯示關(guān)鍵材料發(fā)展短板與存在的重點(diǎn)問

本書主要內(nèi)容包含直流穩(wěn)壓電源電路的組裝、調(diào)試與故障排除，音頻放大器電路的組裝、調(diào)試與故障排除，信號發(fā)生器電路的組裝、調(diào)試與故障排除，邏輯測試筆電路的組裝、調(diào)試與故障排除，多路搶答器電路的組裝、調(diào)試與故障排除五個(gè)項(xiàng)目，以這五個(gè)項(xiàng)目為載體，采用任務(wù)驅(qū)動(dòng)方式，講解了模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)的基礎(chǔ)知識及電路組裝、測試等基本技

思維方式?jīng)Q定科學(xué)成就。本書運(yùn)用智能時(shí)代知識挖掘的大數(shù)據(jù)思維理念，通過系統(tǒng)地提煉和剖析電子信息技術(shù)領(lǐng)域四大技術(shù)基礎(chǔ)（半導(dǎo)體器件發(fā)明、半導(dǎo)體電路優(yōu)化設(shè)計(jì)、電信號建模與電信號處理）的基本概念、基本原理和基本方法的理論與技術(shù)內(nèi)涵以及知識內(nèi)容要點(diǎn)之間潛在的關(guān)聯(lián)性，揭示電子信息技術(shù)領(lǐng)域引發(fā)技術(shù)質(zhì)變的拐點(diǎn)知識如何從最初的理論概念最終

圖像復(fù)原去噪是從退化或損壞的圖像中恢復(fù)原始圖像的過程，該技術(shù)在醫(yī)學(xué)成像、衛(wèi)星成像、監(jiān)控系統(tǒng)、遙感影像等多個(gè)領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。本書研究圖像復(fù)原去噪技術(shù)，基于多種圖像塊先驗(yàn)學(xué)習(xí)模型開展工作，分12章闡述主要研究成果。本書的重點(diǎn)是圖像建模的復(fù)原去噪，將圖像建模為符合某些先驗(yàn)分布的隨機(jī)變量，學(xué)習(xí)自然圖像的統(tǒng)計(jì)特征，然后利用最大

本書內(nèi)容包括使用通用邏輯的設(shè)計(jì)、組合電路設(shè)計(jì)資源、算術(shù)單元設(shè)計(jì)、實(shí)用場景和設(shè)計(jì)技巧、時(shí)序設(shè)計(jì)技術(shù)、FSM設(shè)計(jì)技術(shù)、高級設(shè)計(jì)技術(shù)、系統(tǒng)設(shè)計(jì)和考慮因素等，每章配有相應(yīng)的例題，有助于讀者理解和掌握數(shù)字設(shè)計(jì)方法。

本書內(nèi)容結(jié)合微電子產(chǎn)業(yè)和計(jì)算機(jī)硬件產(chǎn)業(yè)的最新發(fā)展現(xiàn)狀和技術(shù)前沿，注重基礎(chǔ)性、高階性、創(chuàng)新性和挑戰(zhàn)性相結(jié)合，采用模塊化的思想對教學(xué)內(nèi)容進(jìn)行有機(jī)劃分，全書共9章，可以分為三個(gè)部分。第一部分是數(shù)字邏輯電路的基礎(chǔ)，由第1~3章組成，包括基本知識、邏輯代數(shù)基礎(chǔ)、半導(dǎo)體與集成門電路；第二部分是數(shù)字邏輯電路的經(jīng)典設(shè)計(jì)和分析方法，由4

安全認(rèn)證協(xié)議應(yīng)用十分廣泛,從使用U盾登錄銀行賬戶、網(wǎng)上購物,到安全地收發(fā)電子郵件、遠(yuǎn)程辦公,以及今天迅猛發(fā)展的金融科技,這些已逐漸被人們熟悉的服務(wù)背后,都離不開安全認(rèn)證協(xié)議的支持。常用的基礎(chǔ)安全認(rèn)證協(xié)議主要有零知識證明、數(shù)字簽名、認(rèn)證密鑰交換和口令認(rèn)證等。《BR》本書重點(diǎn)圍繞常用的基礎(chǔ)安全認(rèn)證協(xié)議、抗量子安全認(rèn)證協(xié)議及

本書首先介紹了半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展史；接著將整個(gè)芯片制造流程分為“加”“減”“乘”“除”四類，用圖說的形式，講解了氧化、化學(xué)氣相淀積、物理法沉積薄膜、擴(kuò)散、離子注入、清洗硅片、刻蝕、化學(xué)機(jī)械拋光、離子注入退火、回流、制備合金、光刻等核心工藝，同時(shí)對半導(dǎo)體材料、凈化間、化學(xué)試劑、氣體、半導(dǎo)體設(shè)備、掩膜版等必需條件也做了介紹。

本書是作者在多年科研和教學(xué)工作實(shí)踐總結(jié)的基礎(chǔ)上整理編寫而成的。全書共7章，全面介紹密碼芯片設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識和關(guān)鍵技術(shù)。主要內(nèi)容包括：密碼芯片的基本概念與性能指標(biāo)，密碼芯片的總體設(shè)計(jì)與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，邏輯運(yùn)算、模加運(yùn)算、模乘運(yùn)算、有限域乘法運(yùn)算、移位操作、比特置換、查表操作、反饋移位寄存器等8類密碼處理單元設(shè)計(jì)，存儲單元與互聯(lián)單

單片智能功率芯片是一種功能與結(jié)構(gòu)高度集成化的高低壓兼容芯片，其內(nèi)部集成了高壓功率器件、高低壓轉(zhuǎn)換電路及低壓邏輯控制電路等，高壓厚膜SOI基橫向IGBT器件（高壓厚膜SOI-LIGBT器件）在其中被用作開關(guān)器件，是該芯片中的核心器件，其性能直接決定了芯片的可靠性和功耗。本書共7章：介紹了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原