《薄膜晶體管材料與技術(shù)》是戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域“十四五”高等教育教材體系——“先進功能材料與技術(shù)”系列教材之一。本書歸納薄膜晶體管（TFT）材料、器件及制備技術(shù)，總結(jié)和梳理TFT相關(guān)的基礎(chǔ)理論知識，包括材料物理與化學、器件物理、工藝原理以及實際應用設(shè)計原理，進一步提出新見解，為TFT技術(shù)的發(fā)展提供理論指導和方向參考。本書以T

氧化鎵(Ga2O3)具有超寬禁帶和高臨界擊穿場強，可滿足電力電子系統(tǒng)高功率(密度)、高效率和小型化發(fā)展需求，在航空航天、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域應用前景廣闊，但器件受限于高耐壓和低功耗的矛盾關(guān)系，且當前對大功率器件及其熱穩(wěn)定性研究較少。為此，本論文在Ga2O3器件新結(jié)構(gòu)與熱穩(wěn)定性方面開展理論和實驗創(chuàng)新研究。本研究為氧化鎵功率器件

本書提供了在各個工藝及系統(tǒng)層次的半導體存儲器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場趨勢和存儲應用之后，本書重點介紹了各種主流技術(shù)，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機遇，并特別關(guān)注了可微縮途徑。這些述及的技術(shù)包括靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、非易失性存儲器(NVM)和NAND閃存。本書還提及了嵌入式存儲器

。本冊為《半導體工藝原理》，主要內(nèi)容包括：鍺和硅的化學制備與提純、半導體材料的生長、硅片加工、氧化工藝、薄膜沉積工藝、外延工藝、光刻工藝概述、光刻設(shè)備、光刻材料、刻蝕工藝、摻雜工藝等。

本書共8章。其中，第1章介紹Si基GaN材料與芯片的研究意義，著重分析了GaN材料的性質(zhì)和Si基GaN外延材料與芯片制備的發(fā)展歷程。第2章從Si基GaN材料的外延生長機理出發(fā)，依次介紹了GaN薄膜、零維GaN量子點、一維GaN納米線和二維GaN生長所面臨的技術(shù)難點及對應的生長技術(shù)調(diào)控手段。第3～7章依次介紹了Si基Ga

本教程在簡要介紹MOSFET場效應晶體管器件結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，全面敘述了MOSFET基本電學特性和二階效應；介紹了MOSFET器件模型及建模測試結(jié)構(gòu)和方案設(shè)計；給出了MOSFETBSIM模型參數(shù)提取流程；介紹了半導體器件SPICE模型建模平臺EmpyreanXModel，深入介紹了XModel的基本功能和界面；介

本書主要介紹薄膜晶體管（TFT）集成電路技術(shù)領(lǐng)域的基礎(chǔ)知識和作者在該領(lǐng)域的代表性研究成果。內(nèi)容涵蓋圖像顯示和圖像傳感器件所需的TFT集成電路技術(shù)，如像素TFT電路、行驅(qū)動（掃描）TFT電路以及列（數(shù)據(jù)）驅(qū)動TFT電路等。全書共5章，分別為：薄膜晶體管（TFT）概述，有源矩陣液晶顯示（AMLCD）TFT電路，有源矩陣有機

本書將半導體技術(shù)60多年的發(fā)展史濃縮在有限的篇幅里，通過簡明扼要的語言為我們講述關(guān)于芯片的那些事兒。本書主要圍繞“史前文明”——電子管時代、“新石器時代”——晶體管時代、“戰(zhàn)國時代”——中小規(guī)模集成電路時代、“大一統(tǒng)秦朝”——大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路時代、“大唐盛世”——特大規(guī)模和巨大規(guī)模集成電路時代、“走進新時代”—

本書為《新興半導體》分冊。新興半導體發(fā)展迅速、應用領(lǐng)域廣泛、產(chǎn)業(yè)帶動性強、節(jié)能潛力大，被公認為最有發(fā)展前景的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在消費類電子、5G通訊、新能源汽車、智能電網(wǎng)、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。本分冊圍繞新興半導體這一“核芯”領(lǐng)域，從高載流子遷移率半導體材料、憶阻半導體材料、新型紅外半導體材料及超寬禁帶半導體材料

本書以最新的科研成果為基礎(chǔ)，深入研究了新鐵電極化機制的滑移鐵電半導體。通過對大量實驗數(shù)據(jù)的分析和理論推導，揭示了滑移鐵電半導體的獨特性質(zhì)和應用潛力。同時，結(jié)合國內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域的研究進展，為讀者提供全面、系統(tǒng)的知識體系。本書通過對多層滑移鐵電半導體的深入研究，揭示了其獨特的鐵電極化翻轉(zhuǎn)模式，即鐵電極化在各層之間以逐層翻轉(zhuǎn)的